RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm Nチャネル力のMosfets TO-252AA
型式番号:RFD14N05LSM
原産地:米国
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、paypalウェスタン・ユニオン
供給の能力:10,000pcs
受渡し時間:標準的な2-3days
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Shenzhen Guangdong China
住所：
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
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内 41 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohmの論理のレベルのN-Channel力のMosfets TO-252AAの表面の台紙
導入:
RFD14N05LSMは14 A、50ボルト、0.1 Ω、N-Channelの論理のレベル力Mosfetである。
それは-55 °Cから175 °C.にTO-252AAおよびOpertingの温度較差のパッケージ入って来。
それはMegaFETプロセスを使用して製造される。
LSIの集積回路のそれらに近づく形状を使用するこのプロセス
顕著な性能に終ってケイ素の最適利用を、与える。
特徴:
Fetのタイプ: N CH
下水管に源の電圧[Vdss]:50V
抵抗最高の下水管源:0.1Ω
評価される電力損失:48 W
Qgのゲート充満:40nC
パッケージ:TO-252AA
Moutingのタイプ:表面の台紙
TrenchFET®力MOSFET
100% RgおよびUISはテストした
適用
•DC/DCのコンバーター
•DC/ACインバーター
•モーター ドライブ
デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社。
電子メール:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN
電子メール:sales3@deli-ic.com
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RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm Nチャネル力のMosfets TO-252AA
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