HGTG11N120CND NPT GBT反平行Hyperfastのダイオード43A 1200V
型式番号:HGTG11N120CND
原産地:米国
最低順序量:10PCS
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:10,000pcs
受渡し時間:標準的な2-3days
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Shenzhen Guangdong China
住所：
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
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内 41 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
HGTG11N120CND NPTシリーズNチャネルIGBT Anti-Parallel Hyperfastのダイオード43A 1200V
記述:
HGTG11N120CNDは（NPT） IGBTの設計によって非穿孔器である。
これはMOSの新しいメンバー ゲートで制御した高圧切換えIGBT家族をである。
IGBTsはMOSFETsおよび両極トランジスターの最もよい特徴を結合する。
この装置に両極トランジスターのMOSFETそして低いオン州の伝導の損失の高い入力インピーダンスがある。
IGBTはである開発タイプTA49291使用した。
使用されるダイオードは開発タイプTA49189である。
IGBTは適当な頻度で作動する多くの高圧転換の適用にとって理想的である
伝導の損失がのような必要、である低い一方、:ソレノイドのためのACおよびDCの運動制御、電源および運転者、
リレーおよび接触器。以前進化のタイプTA49303。
特徴:
•43A、1200V、TC = 25oC
•SOAの機能を転換する1200V
•典型的な落下時間。…。.340nsのTJ = 150oC
•短絡の評価
•低い伝導の損失
•熱インピーダンス スパイス モデル
デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社。
電子メール:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN
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HGTG11N120CND NPT GBT反平行Hyperfastのダイオード43A 1200V
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