IRFP240Nチャネルの一般目的のショットキー ダイオードのケイ素の整流器ダイオード

型式番号:IRFP240
原産地:中国
最低順序量:10個
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書
供給の能力:10000PCS
受渡し時間:在庫あり
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Shenzhen Guangdong China
住所: No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
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製品詳細 会社概要
製品詳細

IRFP240一般目的の整流器ダイオードNチャネル200V 20A (穴を通したTc) 150W (Tc)

 

特徴

 

•動的dV/dtの評価

•評価される反復的ななだれ

•隔離された中央取り付け穴

•速い切換え•平行になる容易さ

•簡単なドライブ条件

•RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的


記述

Vishayからの第三世代力のMOSFETsは速い切換え、高耐久化された装置設計、低いオン抵抗および費用効果の最もよい組合せをデザイナーに与えます。TO-247ACのパッケージは高い発電のレベルがTO-220AB装置の使用を排除する商業産業適用のために好まれます。TO-247ACは類似しているより早いTO-218パッケージへの目上の人ので隔離された取り付け穴でありではない。それはまたほとんどの安全指定の条件を満たすためにピン間のすばらしい表面漏れ間隔を提供します。
 

 

 

 

 

製品特質すべてを選んで下さい
部門分離した半導体製品
 トランジスター- FETs、MOSFETs -は選抜します
製造業者Vishay Siliconix
シリーズ-
包装
部分の状態活動的
FETのタイプNチャネル
技術MOSFET (金属酸化物)
流出させて下さいに源の電圧(Vdss)200V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C20A (Tc)
運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを)10V
(最高) @ ID、VgsのRds180 mOhm @ 12A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID4V @ 250µA
充満((最高) Qg) @ Vgsをゲートで制御して下さい70nC @ 10V
Vgs (最高)±20V
入力キャパシタンス(Ciss) (最高) @ Vds1300pF @ 25V
FETの特徴-
電力損失(最高)150W (Tc)
実用温度-55°C | 150°C (TJ)
土台のタイプ穴を通して
製造者装置パッケージTO-247-3

 

 

 

 

 

 

デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
www.icmemorychip.com
電子メール:sales@deli-ic.com
Skype:hksunny3
TEL:86-0755-82539981

 

 

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