レーザーシステムポケールセル LGS Q スイッチピエゾクリスタル LGS

産地:中国

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供給能力:5000PCS 毎月

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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

確認済みサプライヤー

Hefei Anhui China

住所： 176号、雲児路、雲海路工業団地、包河区、合肥市、安徽省

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製品詳細会社概要

製品詳細

LGSシリーズ電光 (EO) Qスイッチポッケルズセル

新しいタイプのEOQスイッチは,La3Ga5SiQ14 (LGS) 結晶を用いて設計されています.LGS結晶は,非常に高い損傷しきい値 (LNの約9倍) を有する光学的に活性なNLO材料の一種です.優れたE-O係数高温安定性 (クォーツより優れている) Qスイッチは,偏光平面の総回転角が0であると考えられる.一方,偏光波はポッケル細胞を往復して伝播します.偏振平面回転と電光効果が同時に存在するため,E-Oモジュレーター,QスイッチなどのE-Oコンポーネントに広く使用されています.

LGS (LG-EO-Q) シリーズのQスイッチ (ポッケルズセル) は,中出力エネルギーレーザーで使用できる実用的な電光装置で,部分的にDKDPそしてリンボ3シリーズQスイッチ

特徴:

LGSベースのQスイッチ (ポッケルズ電池)

波長が3.2μmまでである場合.

伝達波面歪み < l/4;

損傷の限界:>900MW/cm2(@1064nm, 10ns, 典型的な,保証されていません);

中等電力のシステムに利用可能なLGSは,部分的にDKDPそしてリンボ3シリーズQスイッチ

主要な特性:

化学式	La3Ga5SiQ14
結晶構造	トリゴナル,a=b=7.453Å,c=6.293Å
密度	5.75g/cm3
溶融点	1470 °C
透明度範囲	242〜3200nm
屈折指数	1.89
電気光学係数	γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
耐性	1.7×1010 Ω·cm
デリケスセンスは	違う
熱膨張係数	α11=5.15×10-6 /K (Z軸) ; α33=3.65×10-6 /K (Z軸)