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LCMXO2-1200HC-4TG100C フィールドプログラム可能なゲート配列 IC 79 65536 1280 100-LQFP
タイプ | 記述 |
カテゴリー | 集積回路 (IC) |
埋め込み | |
FPGA (フィールドプログラム可能なゲートアレイ) | |
Mfr | ラティス・セミコンダクター・コーポレーション |
シリーズ | マクXO2 |
パッケージ | トレー |
LAB/CLBの数 | 160 |
論理要素/セルの数 | 1280 |
RAM ビットの総数 | 65536 |
I/O の数 | 79 |
電圧 - 供給 | 2.375V~3.465V |
マウントタイプ | 表面マウント |
動作温度 | 0°C ~ 85°C (TJ) |
パッケージ/ケース | 100LQFP |
供給者のデバイスパッケージ | 100TQFP (14x14) |
基本製品番号 | LCMXO2-1200 |
特徴LCMXO2-1200HC-4TG100C
• 柔軟な論理構造
• 256 から 6864 LUT4 と 18 から 334 I/O の 6 つのデバイス
• 超低電源 装置
• 低電力 65nm プロセスの進歩
• 待機電源は22μWまで
• プログラム可能な低振動差分I/O
• スタンバイ モード と 省電 の 他 の オプション
• 埋め込み と 分散 さ れ た メモリ
• 240kbitsまで sysMEMTM 組み込みブロック RAM
• 最大 54 kbits 分散 RAM
•専用FIFO制御ロジック
• オン チップ の ユーザー フラッシュ メモリ
• 256kbits の ユーザー フラッシュ メモリ まで
• 書き込み サイクル 100,000 回
• WISHBONE,SPI,I2CおよびJTAGインターフェイスでアクセス可能
• ソフトプロセッサのPROMまたはフラッシュメモリとして使用できます
• 前もって設計された源同期I/O
• I/O セルに DDR レジスタ
• 専用ギアリング論理
• 7:1 ディスプレイ I/O への調整
• 一般的なDRD,DRX2,DRX4
• DQS サポート付き専用 DDR/DDR2/LPDDR メモリ
• 高性能で柔軟な I/O バッファー
• プログラム可能なsysIOTMバッファは,幅広いインターフェースをサポートします.
LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
¥ LVTTL
│ │ │
LVDS,バスLVDS,MLVDS,RSDS,LVPECL
SSTL 25/18
HSTL 18
シュミットトリガー入力,最大0.5Vヒステレス
• I/O は,ホットソケットをサポートする
• チップ上の差点終了
• プログラム可能な引き上げまたは引き下げモード
• 柔軟 な チップ 上 の 時計
• 基本 の 時計 の 8 つ
• 高速I/Oインターフェース (上側と下側のみ) の最大2つの端時計
• 1 台あたり最大 2 つのアナログ PLL が N 周波数合成
広範囲の入力周波数 (7MHz~400MHz)
• 揮発性 が ない,無限 に 再構成 できる
• 瞬時に 発電する
• 単一チップ で 安全 な ソリューション
• JTAG,SPI,I2C を使ってプログラム可能
• 非揮発性メモリのバックグラウンドプログラミングをサポート
• 外部 SPI メモリを備えたオプションのダブルブート
• トランスFRTM 再構成
• システムが動作している間,フィールド内の論理更新
• システムレベルでのサポート強化
• チップ内硬化機能:SPI,I2C,タイマー/カウンター
• 5.5% の 精度 を 持つ オン チップ オシレーター
• システム追跡のためのユニークなTraceID
• 一回プログラム可能 (OTP) モード
• 拡張範囲の単一電源
• IEEE 標準 1149.1 の境界スキャン
• IEEE 1532 に準拠するシステム内プログラミング
• 幅広いパッケージオプション
TQFP,WLCSP,ucBGA,csBGA,caBGA,ftBGA,fpBGA,QFN パッケージオプション
• 小規模なパッケージオプション
微小で2.5mm×2.5mmくらい
• 密度移行を支援する
• ハロゲン のない 高度 な 梱包
環境と輸出分類LCMXO2-1200HC-4TG100C
ATRIBUTE について | 記述 |
RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.39.0001 |