IXTY08N100D2 Nチャネル MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc 表面マウント TO-252AA
モデル番号:IXTY08N100D2
産地:原作
最低注文量:1
支払条件:TT
供給能力:100
配達時間:3-4日
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
Shenzhen Chongqing China
住所：
第1床、造るCのZhouKe科学公園、重慶の道、Hepingのコミュニティ、Fuhaiの通り、BaoAn地区、シンセン、中国の190無し
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 36 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
CSR8670C-IBBH-R IC チップ RF TxRx + MCU ブルーツepo_Latnepo_Latnepo_Latn
Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA
IXTY08N100D2は工場の在庫,あなたの要求を確認し,目標価格で私たちと連絡してください.
仕様 IXTY08N100D2
IXTY08N100D2は工場の在庫,あなたの要求を確認し,目標価格で私たちと連絡してください.
仕様 IXTY08N100D2
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | IXYS |
| シリーズ | 枯渇 |
| パッケージ | トューブ |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 1000V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | - |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 400mA,0V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | - |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 14.6 nC @ 5V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | 消耗モード |
| 電力消耗 (最大) | 60W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | TO-252AA |
| パッケージ/ケース | TO-252-3,DPAK (2リード+タブ),SC-63 |
| 基本製品番号 | IXTY08 |
特徴IXTY08N100D2
• 通常オンモード
• 医療機関国際標準パッケージ
• 模造 エポキシ 材料 は UL に 準拠 し て い ます94V-0炎症性の分類
適用するIXTY08N100D2
• 音声 増幅 器
• 起動回路
• 保護 回路
• ランプ 発電機
• 現在 の 規制 者
• 活動 的 な 負荷
追加 利点IXTY08N100D2
• 装着 する の は 簡単 です
• 空間 節約
• 高い 電力 密度
環境と輸出分類IXTY08N100D2
| 属性 | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
IXTY08N100D2 Nチャネル MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc 表面マウント TO-252AA
お問い合わせカート
0