高速電源 MOSFET IGBT ドライバ 3 段階 高電圧ゲート ドライバ
産地:中国
最低注文量:10SET
支払条件:L/C、T/T、ペイパル
供給能力:1000sets/day
配達時間:5~8 営業日
パッケージの詳細:PE バッグ + カートン
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所：
第1の車線1199のyunping道、jiading地区、上海、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ
記述
JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです
3相ゲートドライバの出力チャネル.
UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具合を防ぐ
600V高電圧プロセスと共同モードノイズキャンセリング技術により安定した動作ができます
高dv/dt の騒音条件下での高サイドドライバーの
特徴
* 組み込み 600V 半ブリッジ ハイサイドドライバー
* 3相半ブリッジゲートまでのドライバー
*内蔵 ダウンタイム コントロール
* 射撃防止
* VCCとVBSの電圧ロックアウト下で
* 3.3V,5V,15V入力論理 互換性
* 組み込み入力フィルター
* -40°Cから125°Cまでの動作範囲
* 一般モード dv/dt ノイズキャンセリング回路
適用する
高速電源 MOSFET IGBT ドライバ 3 段階 高電圧ゲート ドライバ
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