Kretek機械のためのMolins MK9モデルによ穴版Mosfet Irfz44ns
型式番号:メーカー
原産地:中国
最低順序量:2 PC
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、Paypal
供給の能力:10000 PC/月
受渡し時間:5-8日
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RM 18S、27/F、HO COMM CTR、2-16 FAYUEN ST、MONGKOK九龍、香港王
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製品詳細
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Kretek機械のためのMolins MK9モデルによ穴版Mosfet Irfz44ns
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
源下水管の評価および特徴
| 変数 | タイプ | 最高。 | |
| ある | 連続的なソース電流（ボディ ダイオード） | — | 49 |
| 主義 | 脈打ったソース電流（ボディ ダイオード）① | — | 160 |
| VsD | ダイオード前方電圧 | — | 1.3 |
| trr | 逆の回復時間 | 63 | 95 |
| Qrr | 逆の回復充満 | 170 | 260 |
ポケット トランジスタ ラジオ
最初の「プロトタイプ」ポケット トランジスタ ラジオは1953年8月29日と1953年9月6日間のインターナショナルFunkausstellungデュッセルドルフ行政管区のINTERMETALL （1952年にハーバートMataréが創設する会社）によって示されていた。最初の「生産」のポケット トランジスタ ラジオは1954年10月に解放された執権期間TR-1だった。
大量生産
50年代では、モハメドAtalla電気が次行なうケイ素に確実に突き通ることができるのはエジプト エンジニアは彼が半導体デバイスの製作の新しい方法を提案した塗る鐘の実験室でケイ素の半導体の表面の特性を調査した、電気は半導体層に達することを防いだ表面州を克服するケイ素酸化物の絶縁層によってシリコンの薄片に。これは表面不動態化、ケイ素の集積回路のそれとして半導体工業に重大に後で可能にした大量生産をなった方法として知られている。
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