機械に電子部品Irfz44nlをするHauni ProtosナノのKretek
型式番号:メーカー
原産地:中国
最低順序量:2 PC
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、PayPal
供給の能力:10000 PC/月
受渡し時間:5-8日
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RM 18S、27/F、HO COMM CTR、2-16 FAYUEN ST、MONGKOK九龍、香港王
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製品詳細
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機械に電子部品Irfz44nlをするHauni ProtosナノのKretek
トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための少なくとも3台のターミナルが付いている半導体材料で通常構成される。
1. 源下水管の評価および特徴
| 変数 | タイプ | 最高。 | |
| ある | 連続的なソース電流（ボディ ダイオード） | — | 49 |
| 主義 | 脈打ったソース電流（ボディ ダイオード）① | — | 160 |
| VsD | ダイオード前方電圧 | — | 1.3 |
| trr | 逆の回復時間 | 63 | 95 |
| Qrr | 逆の回復充満 | 170 | 260 |
2. バイポーラ トランジスタ
最初のバイポーラ トランジスタは1948年6月26日適用した鐘の実験室のウィリアム・ショックレーによってにパテント（2,569,347）に発明された。1950年4月12日、鐘の実験室の化学者のゴードンの小ガモおよびモーガンの火花に首尾よく働く両極NPNの接続点の増幅のゲルマニウムのトランジスターを作り出した。
3. 高周波トランジスター
最初の高周波トランジスターは1953年にPhilcoによって発達した表面障壁のゲルマニウムのトランジスター60までのMHzを作動させることができるだった。これらはインジウムのジェット機が付いている両側からnタイプのゲルマニウムの基盤に不況のエッチングによってそれが厚のインチの少数のten-thousandthsだったまでなされた（III）硫酸塩。インジウムは不況に形作ったコレクターおよびエミッターを電気めっきした。
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