半導体レーザー808nm 450mWの出力電力高性能を缶詰にする赤外線IR

808nm、出力電力500mW TO-9はFACの半導体レーザーを包みました

HTOE LDMA-0808-450m-A2は808nmの放出波長および450mW （CW）の標準的な光熱出力を提供する非常に能率的な半導体の半導体レーザーです。LDMA-0808-500m-A2はinstallesはレンズ軸線の視準絶食するが、TO-9パッケージを採用します。定形レーザ光線は速い軸線により小さい発散を提供します。colimatedレーザ光線は顧客が彼らの自身の光学系を設計することができるようにより便利です。高い信頼できる操作および狭い出る幅50µm、LDMA-0808-450m-A2特色にされ、寄与されるですNdをポンプでくむために理想的良質のレーザ光線、それと作動することを割り当てます:YAGおよび照明の適用。

LDMA-0808-450m-A2はQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づいていたHTOEのLDMAシリーズに属します。HTOEによって包まれる単一のエミッターは優秀な信頼性および性能を提供します。中心の波長は635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、9xxnmおよび1064 nmを含んでいます。パッケージ・デザインは台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に含んでいます。顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームを提供して下さい。
 

特徴

• 808nm中心の波長
• 出力電力450mW
• 標準的なTO-9パッケージ
• FACを使って 
• フォトダイオードを使って
• 高い電気光学のeffiency
• 高いreliablity

適用

• レーザー ポンプ
• 医学
• 照明

 
変数（25℃）

パッケージ情報

 
TOØ9パッケージ
 
 
機能カーブ

                           P-I-Vのカーブの分光カーブ
 
 
通知
 
1. 項目モデル通知:LDMA （項目モデル）、**** （中心の波長）、**** （出力電力）、** （脱熱器構造および項目幅）。
2. シートのデータはすべてTOØ9パッケージのテストに基づいています。
3. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。
 
ESDの注意
 
ダイオードの失敗の第一次原因は予想外の静電放電です。装置失敗を防ぐのを助けるためには極度な心配の装置を扱うこと確実でであって下さい。ユーザーはダイオードのレーザーを扱った場合ESDのリスト・ストラップを常に身に着け、すべての適当な仕事表面をひき、帯電防止技術に続くべきです。
 
作動の考察
 
最高の評価の外のダイオード レーザーを作動させることは安全上の問題を示すか、または装置失敗を引き起こすかもしれません。さらに、余分なドライブ流れか切換えトランジェントはCWのダイオードのレーザーを傷つけることができます。最高のピーク光学力を超過しないで下さい。電源をつける前に、部品を電源に接続し、出力電圧価値がゼロであることを保障して下さい。部品が首尾よく接続された後、流れをゆっくり高め、出力電力そしてドライブ流れを監視し。装置低下は増加された温度と加速します;従って、場合温度を最小にすることへの細心の注意は助言されます。熱ラジエーターのダイオード レーザーのための適切な脱熱器はレーザーの生命を非常に高めます。

ハイテクな光電子工学Co.、株式会社はCECEPのwholly-owned子会社、である国民の光電子工学の技術研究の中心に基づいて確立されるハイテクな企業である。

• 1999年に確立される
• 登録されていた首都:227，000,000 RMB
• Shaheの工業団地に置かれる、北京
• 従業員:~180
• プロダクト:半導体のレーザー

北京の本部:

• 製造スペースの3000m2に、およびクラス1,000および10,000が付いている1500m2クリーン ルームよりもっと;
• 11,000m2と今計画された、建設中の新しい工場。

R & Dのプラットホーム

• 国民の光電子工学の技術研究の中心
• 博士課程終了後の研究所
• 中国のエネルギー保存のグループの技術の研究所の光電子工学の枝の設計

30以上の中心のパテント:

• EPウエファーの構造の設計
• COMD制御
• 電極プロセス
• 破片プロセス
• 破片の包装
• ビーム形成
• 繊維のカップリング

中国の半導体レーザーそしてlaser-based解決の導く提供者。