20ワット808nmの半導体レーザー棒標準注文棒構成
Brand Name:HTOE
Model Number:LDAC1-0808-020W
Minimum Order Quantity:50 pcs
Delivery Time:10-20 working days
Payment Terms:T/T
Place of Origin:Beijing, China
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Beijing Beijing China
住所：
Shaheの工業団地、昌平区、北京、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 27 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
808nm伝導-冷却された半導体レーザー棒（CW）は、20ワット レーザー棒を包みました
LDAシリーズ高い発電の包まれた棒OEMの顧客に、産業、医学はポンプにキロワットまで拡張可能な力をおよび適用与えます。包まれたレーザー棒は積み重ねによる高められた明るさのために最大限に活用された軽く、物質的な統合のために直線にまたは縦に量られて形成することができます。LDAシリーズ提供
- 1100nm範囲への808nmの波長
- 統合の容易さのためのモジュラーおよびコンパクト デザイン
- 高い明るさのための100W CWおよび300W QCWの半導体レーザー棒まで
- 包まれた10mmの半導体レーザー棒、さまざまな標準的な棒構成（利用できる注文棒構成要求あり次第）
変数（20℃）
| 伝導冷却された包まれた棒 | |||
| 変数 | 単位 | LDAC1-0808-020W | |
| 光学変数 | 操作モード | - | CW |
| 中心の波長 | nm | 808 | |
| 出力電力/棒 | W | 20 | |
| 分光幅 | nm | < 5 | |
| Wavelength&の温度の比率 | nm/℃ | 0.28 | |
| 速い軸線の発散 | deg | < 39 | |
| 遅い軸線の発散 | deg | < 10 | |
| 電気変数 | 境界の流れ | A | <5 |
| 動作電流 | A | <20 | |
| 操作電圧/棒 | V | < 2.0 | |
| 熱変数 | 作動の臨時雇用者。 | ℃ | 15 | 35 |
| 貯蔵の臨時雇用者。 | ℃ | -10 | 60 | |
パッケージ情報
通知
- 項目モデル通知:LDAC1 （項目モデル） - 0808 （中心の波長） - **** （出力電力）。
- パッケージ データは顧客の設計されていたデッサンに従ってカスタマイズすることができる参照のためだけです。
- 高温が境界の流れを高め、為替レートを減らし、そして老化を加速するように15℃と35℃間の温度の下で半導体レーザー作動することを確かめて下さい。
- 半導体レーザーの老化を引き起こす凝縮を避ける手段を取って下さい。
- より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。
20ワット808nmの半導体レーザー棒標準注文棒構成
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