808nm波長40W出力電力CWレーザー棒

型式番号:LDAC1-0808-0040
原産地:北京、中国
最低順序量:50個
支払の言葉:T/T
供給の能力:1 ヶ月あたりの 1000 pc
受渡し時間:15-25 仕事日
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Beijing Beijing China
住所: Shaheの工業団地、昌平区、北京、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 27 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

40ワットの半導体レーザー棒、808 nmの半導体レーザーの据えられていない棒


半導体のレーザーは今日の産業レーザー システムのほとんどのセンターピースです。ソリッド ステート レーザーの直接材料加工か、または光学ポンプは、繊維のレーザーまたはディスク レーザー、据えられていない単一のエミッターおよび棒ライトに電気エネルギーの最初の転換のための主要部分であるかどうか。

HTOEは1998年からの半導体ウエハーの技術に焦点を合わせましたり、635と1064nm間の波長で多重モードの高い発電を提供します。

  • 40W CWおよび200W QCWの出力までの高い発電の多重モードの据えられていない棒
  • 2W CW力までの据えられていない単一のエミッター
  • 利用できる波長は635nm、650nm、808nm、980nmおよび1064nmを含んでいます

変数(25℃)


変数単位LDAC1-0808-0040
光学変数操作モード-CW
出力電力PoW40
中心の波長のλcnm808 ± 5
幾何学的要因を満たして下さい-30%
据えられていない単一のエミッターの数-19
電気変数斜面の効率EsW/A≥1.1
境界の流れIのThA≤7
動作電流IfA≤40
操作電圧VfV≤2
 

 

通知


1. 項目通知:LDAC1 (項目モデル) - **** (中心の波長) - **** (出力電力)。

2. データ用紙は25℃の下のテストの結果に基づいています。

3. データ用紙はCSのパッケージのテストに基づいています。

4. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。

 

 

 

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