材料加工のグラウンド・コンディションで働く単一のエミッターの半導体レーザー

830nm波長1ワットの出力電力包まれた単一のエミッターのダイオード レーザー

LDM-0830-001W-*2はHTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターのダイオードのレーザーです。それらはQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーです。HTOEによって包まれる単一のエミッターは優秀な信頼性および性能を提供します。パッケージ・デザインは台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に含んでいます。 中心の波長は635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、915nm、940nm、980nmおよび1064 nmを含んでいます。顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームを提供して下さい

特徴:

• 2つのパッケージの選択: CosおよびC台紙
• 830nm中心の波長
• 1ワット出力電力
• 高い電気光学のeffiency
• 高いreliablity

適用

• 材料加工
• 照明
• DPSSレーザー ポンプ

変数（20℃）

Cosのパッケージ

C台紙のパッケージ

機能カーブ

                                       P-I-Vのカーブの分光カーブ

通知

1. 項目モデル通知:LDM （項目モデル）、0830 （中心の波長）、001W （出力電力）、*2 （脱熱器構造および項目幅）。

2. シートのデータはすべてC台紙のパッケージ脱熱器テストに基づいています。

3. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。

4.半導体レーザーはESDの敏感な装置、帯電防止手段準備されるべきですです。の前に場合を、よいグラウンド・コンディションを得るために確かめます取って下さい他ではレーザーの管はレーザーの管の失敗に終って静電気によって故障に、容易にあります。レーザーを使用した場合帯電防止リスト・ストラップを身に着けて下さい。

5。 レーザーの管は保たれてべきですまたは凝縮を防ぐために乾燥した環境ではたらいて凝縮はレーザーの管を傷つけるかもしれません。
6。高温で、それは境界の流れを高め、効率を下げ、そしてレーザーの管の老化を加速します。
7。指定変数、それより出力電力高いのレーザーの管の老化を加速する時。

ハイテクな光電子工学Co.、株式会社はCECEPのwholly-owned子会社、である国民の光電子工学の技術研究の中心に基づいて確立されるハイテクな企業である。

• 1999年に確立される
• 登録されていた首都:227，000,000 RMB
• Shaheの工業団地に置かれる、北京
• 従業員:~180
• プロダクト:半導体のレーザー

北京の本部:

• 製造スペースの3000m2に、およびクラス1,000および10,000が付いている1500m2クリーン ルームよりもっと;
• 11,000m2と今計画された、建設中の新しい工場。

R & Dのプラットホーム

• 国民の光電子工学の技術研究の中心
• 博士課程終了後の研究所
• 中国のエネルギー保存のグループの技術の研究所の光電子工学の枝の設計

30以上の中心のパテント:

• EPウエファーの構造の設計
• COMD制御
• 電極プロセス
• 破片プロセス
• 破片の包装
• ビーム形成
• 繊維のカップリング

中国の半導体レーザーそしてlaser-based解決の導く提供者。