半導体単一の縦方向モード半導体レーザー高出力力は包んだ

915nm波長は10ワットの高出力力単一のエミッターのダイオード レーザーを包みました

LDM-0915-010W-*3は1種類のHTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターです、wはQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーです。HTOEによって包まれる単一のエミッターは優秀な信頼性および性能を提供します。中心の波長は635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、915nm、940nm、980nmおよび1064 nmを含んでいます。 パッケージ・デザインは台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に含んでいます。顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームを提供して下さい

特徴

• 10ワットの高出力力
• 915nm中心の波長
• パッケージの選択:submount (CoS)およびF台紙の破片
• 高い電気光学のeffiency
• 高いreliablity

適用

• 照明
• 材料加工
• レーザー ポンプ

変数（20℃）

Cosのパッケージ

F台紙

機能カーブ

                               P-I-Vのカーブの分光カーブ

通知

1. 項目モデル通知:LDM （項目モデル）、0915 （中心の波長）、010W （出力電力）、*3 （脱熱器構造および項目幅）。
2. シートのデータはすべてCosのパッケージのテストに基づいています。

3. ESDの注意は単位を扱った場合取られなければなりません。

4. レーザーの管は保たれてべきですまたは凝縮を防ぐために乾燥した環境ではたらいて凝縮はレーザーの管を傷つけるかもしれません。

5. 高温で、それは境界の流れを高め、効率を下げ、そしてレーザーの管の老化を加速します。

6. 指定変数、それより出力電力高いのレーザーの管の老化を加速する時。

7. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。

ESDの注意

ダイオードの失敗の第一次原因は予想外の静電放電です。装置失敗を防ぐのを助けるためには極度な心配の装置を扱うこと確実でであって下さい。ユーザーはダイオードのレーザーを扱った場合ESDのリスト・ストラップを常に身に着け、すべての適当な仕事表面をひき、帯電防止技術に続くべきです。

ハイテクな光電子工学Co.、株式会社はCECEPのwholly-owned子会社、である国民の光電子工学の技術研究の中心に基づいて確立されるハイテクな企業である。

• 1999年に確立される
• 登録されていた首都:227，000,000 RMB
• Shaheの工業団地に置かれる、北京
• 従業員:~180
• プロダクト:半導体のレーザー

北京の本部:

• 製造スペースの3000m2に、およびクラス1,000および10,000が付いている1500m2クリーン ルームよりもっと;
• 11,000m2と今計画された、建設中の新しい工場。

R & Dのプラットホーム

• 国民の光電子工学の技術研究の中心
• 博士課程終了後の研究所
• 中国のエネルギー保存のグループの技術の研究所の光電子工学の枝の設計

30以上の中心のパテント:

• EPウエファーの構造の設計
• COMD制御
• 電極プロセス
• 破片プロセス
• 破片の包装
• ビーム形成
• 繊維のカップリング

中国の半導体レーザーそしてlaser-based解決の導く提供者。