TO-56パッケージの照明の半導体レーザーモジュール高い電気光学のEffiency

808nm波長、出力電力200mW PDが付いているTO-56パッケージの半導体レーザー

HTOEのLDM-0808-200m-70はフォトダイオード(PD)が付いているTO56によって包まれる半導体レーザーです。 レーザーは808nm波長でCWモードの200mW光学力を出します。LDM-0808-200m-70は平らな窓が付いている標準的なTO-56パッケージによって密封されます。内部PDはシステムのより多くの機能をより容易に統合するためにユーザーを作ることができます。 高い信頼できる操作および狭い出る幅20µm、LDM-0808-200m-70特色にされ、寄与されるですNdをポンプでくむために理想的良質のレーザ光線、それと作動することを割り当てます:YAGおよび照明の適用。

LDM-0808-200m-70はQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づいていたHTOEのLDMシリーズに属します。HTOEによって包まれる単一のエミッターは優秀な信頼性および性能を提供します。中心の波長は635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、9xxnmおよび1064 nmを含んでいます。パッケージ・デザインは台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に含んでいます。顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームを提供して下さい。

特徴

• 808nm中心の波長
• 出力電力200mW
• フォトダイオードによって統合して下さい  
• 20µmの狭い出る幅 
• 高い電気光学のeffiency
• 高いreliablity
• 標準的なTO-56パッケージを使って

適用

• レーザー ポンプ
• 医学
• 照明

変数（20℃）

パッケージ情報

TOØ56パッケージ

機能カーブ

                                          P-I-Vのカーブの分光カーブ

通知

1. 項目モデル通知:LDM （項目モデル）、**** （中心の波長）、**** （出力電力）、** （脱熱器構造および項目幅）。

2. シートのデータはすべてTOØ56パッケージのテストに基づいています。

3. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。

ESDの注意

ダイオードの失敗の第一次原因は予想外の静電放電です。装置失敗を防ぐのを助けるためには極度な心配の装置を扱うこと確実でであって下さい。ユーザーはダイオードのレーザーを扱った場合ESDのリスト・ストラップを常に身に着け、すべての適当な仕事表面をひき、帯電防止技術に続くべきです。

作動の考察

最高の評価の外のダイオード レーザーを作動させることは安全上の問題を示すか、または装置失敗を引き起こすかもしれません。さらに、余分なドライブ流れか切換えトランジェントはCWのダイオードのレーザーを傷つけることができます。最高のピーク光学力を超過しないで下さい。電源をつける前に、部品を電源に接続し、出力電圧価値がゼロであることを保障して下さい。部品が首尾よく接続された後、流れをゆっくり高め、出力電力そしてドライブ流れを監視し。装置低下は増加された温度と加速します;従って、場合温度を最小にすることへの細心の注意は助言されます。熱ラジエーターのダイオード レーザーのための適切な脱熱器はレーザーの生命を非常に高めます。

ハイテクな光電子工学Co.、株式会社はCECEPのwholly-owned子会社、である国民の光電子工学の技術研究の中心に基づいて確立されるハイテクな企業である。

• 1999年に確立される
• 登録されていた首都:227，000,000 RMB
• Shaheの工業団地に置かれる、北京
• 従業員:~180
• プロダクト:半導体のレーザー

北京の本部:

• 製造スペースの3000m2に、およびクラス1,000および10,000が付いている1500m2クリーン ルームよりもっと;
• 11,000m2と今計画された、建設中の新しい工場。

R & Dのプラットホーム

• 国民の光電子工学の技術研究の中心
• 博士課程終了後の研究所
• 中国のエネルギー保存のグループの技術の研究所の光電子工学の枝の設計

30以上の中心のパテント:

• EPウエファーの構造の設計
• COMD制御
• 電極プロセス
• 破片プロセス
• 破片の包装
• ビーム形成
• 繊維のカップリング

中国の半導体レーザーそしてlaser-based解決の導く提供者。