包囲されたDKDP Pockelsの細胞の温度の衝撃の優秀なエレクトロに対して抵抗力がある
原産地:チーナン、中国
最低順序量:1-5
支払の言葉:網30日
供給の能力:在庫あり
受渡し時間:順序の量に5-30days
包装の細部:、プラスチックの箱真空パックします、カートン
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Jinan Shandong China
住所：
部屋2003dのShuntaiの建物、Gaoxin地区チーナン、山東、中国
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
周囲温度の衝撃に対して抵抗力があり、レーザー キャビティQ切換えエレクトロのために優秀なDKDP Pockelの細胞
製品の説明:
電気光学DKDP （DKDP （KD*P）のPockelsに細胞使用されるKD*P）の水晶高いレーザー力の抵抗力がある誘電体ARのコーティングがであります。さらに、シリーズPockelsの細胞により少なくユーザー フレンドリーの環境で改善された寿命および保護のためのARによって塗られる窓があります。
Pockelsの細胞がDKDP （KD*P）のような電気光学水晶の電極に適用される電圧のライトの分極状態を変えるのに使用されています。
DKDP （KD*P）によってPockelsの基づく細胞は400 nmからの約1.1 μmへのQ切換えの適用のために使用されます。商業flashlampのほとんどはNdをポンプでくみました:YAGのレーザーおよび低い繰返しはDPSS Ndを評価します:YAGのレーザーはDKDPが装備されています（KD*P）はレーザー キャビティQ切換えのためのPockelsの細胞を基づかせていました。
DKDP （KD*P） Pockelsの細胞の特徴:
- 小型
- 低い吸収
- 400 nmからの1100 nmへの伝達
- 経済的に値を付けられ、巨大なOEMの割引
- 常のすばらしいテクニカル サポート
適用:
- レーザー キャビティのQ切換え
- キャビティ投げ出すこと
- 再生アンプへのそしてからのカップリング ライト
指定:
| 開き | 100x100mm2まで |
| 長さ | 最低1つまでのmmの40mmまでの最高 |
| 次元の許容 | ±0.1mm |
| Deuterationのレベル | >98% |
| 平行 | 20のアークの秒 |
| Perpendicularity | 5つのアーク分 |
| S/D | 10/5 |
| 平坦 | λ/8@633nm |
| 角度許容（程度） | 0.25°、0.25° |
| 小さな溝 | 0.2mmx45° |
| 破片 | 0.1mm |
| 光学損傷閾値 | >4GW/cm2@1064nm、20 |
| λ/4電圧 | <3> |
| λ/2電圧 | <6> |
| 波長範囲 | 300-1100nm |
| 絶滅の比率 | >1200:1 |
| キャパシタンス | 6~10pF@1kHz |
| 品質保証 | 顧客の要求に従って適切な使用の下の1年。 |
包囲されたDKDP Pockelsの細胞の温度の衝撃の優秀なエレクトロに対して抵抗力がある
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