製品概要:

このX線結晶方位測定装置は、X線回折技術を用いて単結晶ロッドの基準面の高精度な位置合わせを行うように設計されています。直径2、4、6インチのロッドの主要な結晶面（一般的に面）の位置合わせが可能です。C面やR面などの標準およびカスタムの配向をサポートしており、さまざまな半導体および結晶加工用途に適しています。

主な特徴:

• 安定した基準プラットフォーム:
  この装置は、主構造に固定された剛性の高いベースプラットフォームを備えており、測定中の水平基準として機能します。プラットフォームの右側は位置決め用、左側にはフィクスチャと結晶をしっかりと固定するためのネジロッククランプ機構が組み込まれています。

• の精密な配向面:
  このシステムは、基準面の正確な位置合わせを可能にし、標準のθ角度は18.917°（18°55′00″）です。異なる結晶学的方向に対応するために、要求に応じて代替の配向を構成できます。

• 使いやすい操作:

  • 装置の校正:信頼性の高い角度調整を確保するために、標準の結晶ロッドを使用して実行されます。

  • 位置決めとスキャン:清掃後、フィクスチャをプラットフォームに置き、X線ビームが円筒表面を照射するまで調整します。

  • ピーク検出:ロッドをX線照射下でゆっくりと回転させます。μAメーターが最大値に達すると、結晶は適切に位置合わせされ、所定の位置にロックされます。

  • 研削準備:位置合わせされた結晶は取り外して、表面処理のために研削盤に直接移すことができます。

• 自動垂直調整:
  測定プロセス中の便利な高さ調整のために、自動リフティング機能をサポートしています。

技術仕様:

用途:

このX線方位測定システムは、ウェーハスライスまたは表面処理の前に正確な結晶学的位置合わせが必要な、シリコン、サファイア、複合材料を含む半導体結晶製造に最適です。また、材料科学および結晶工学の研究開発もサポートしています。

Q&A – よくある質問

Q1: このX線方位測定装置と互換性のある結晶の種類は何ですか？
A1: この装置は、シリコン、サファイア、SiC（炭化ケイ素）、GaN、その他の複合半導体など、さまざまな単結晶材料と互換性があります。直径2、4、6インチのロッドをサポートしています。

Q2: この装置は、面以外の結晶方位を測定できますか？
A2: はい、基準面（θ = 18.917°）に加えて、顧客の要件に応じて、C軸やR軸などの他の結晶学的方向を測定するようにシステムを構成できます。

Q3: 装置はどのように校正されますか？
A3: 校正は、認定された標準結晶ロッドを使用して実行されます。これにより、生産サンプルを処理する前に、システムの角度精度と再現性が確保されます。

Q4: 測定プロセスは自動ですか、それとも手動ですか？
A4: このシステムは、手動での配置と調整と、自動シャッター制御や垂直リフティングなどの自動機能を組み合わせており、操作を簡素化し、効率を向上させています。

Q5: X線放射線を扱うための安全対策はどのようなものですか？
A5: この装置は低出力のX線管を使用しており、被曝を最小限に抑えるためのシールド対策が施されています。ユーザーは、常に標準的な放射線安全プロトコルに従って装置を操作し、推奨電流制限の2.0mAを超えないようにする必要があります。

Q6: 長期間使用するために必要なメンテナンスはありますか？
A6: フィクスチャとプラットフォームの定期的な清掃が不可欠です。X線管、検出器、および電気接続の定期的な検査も推奨されます。安全な電流範囲内で操作することで、X線管の寿命を延ばすことができます。

Q7: この装置はクリーンルーム環境で使用できますか？
A7: はい、コンパクトな設計と密閉構造により、適切な取り扱いとメンテナンスが守られていれば、クリーンルーム用途に適しています。

Q8: さまざまな結晶サイズまたは配向に合わせてカスタマイズできますか？
A8: はい、要求に応じて、さまざまな結晶サイズ、特殊なフィクスチャ設計、または非標準の配向角度をサポートするようにシステムをカスタマイズできます。

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