ウェッファー・ボンド 設備 室温結合 水利性結合 4 6 8 12インチ SiC-Si SiC-SiC

4 6 8 12インチ SiC-Si SiC-SiCの水素性結合

ワイファーボンドリング機器の概要

このウエファー結合器は,シリコンカービッド (SiC) のウエファーの高精度結合のために設計されており,両方をサポートします室温結合そして水素性結合ワフルの処理能力がある.4インチ,6インチ,8インチ,そして12インチ高度なアライナメントシステムと正確な温度と圧力制御により,この機器は,高出力と優れた均一性を保証する 電力半導体製造と研究アプリケーション.

ウェッファー・ボンダー機器の属性

• 絆 の 種類: 室温結合,水利性結合

• サポートされているウェーファーサイズ4インチ 6インチ 8インチ

• 結合材料: SiC-Si, SiC-SiC

• アライナインメント 正確さ: ≤ ±1 μm

• 結合 圧力調節可能: 0 〜 5 MPa

• 温度範囲: 室温が400°Cまで (必要に応じて前後処理のために)

• バキューム室: 高真空環境で粒子がなく結合する

• ユーザーインターフェース: プログラム可能なレシピのタッチスクリーンインターフェース

• 自動化: オプションの自動・ウエーファー・ロード/アウト

• 安全性: 閉ざされた室,過熱防止,緊急停止

ワイファー結合装置は,高度な半導体材料,特にSiCからSiC,SiCからSiへの結合のための高精度結合プロセスをサポートするように設計されています.12インチまでのワッフルサイズに対応します4",6",および8インチのウエーファーにも互換性があります.このシステムは室温と水素性結合をサポートし,熱感受性のあるアプリケーションに理想的です.高精度光学アライナメントシステム,微小小の精度この装置には,レシピ管理のプログラム可能な制御インターフェースが含まれ,利用者がレシピ圧,持続時間,任意の加熱プロファイル高真空室の設計は,粒子汚染を最小限に抑え,結合品質を向上させ,過熱防止,インターロック,安定して安全な操作を保証しますまた,モジュール式設計により,高出力生産環境の自動化ウエファー処理システムとの統合が可能になります.

写真

互換性のある材料

本物のケース--6インチ SiC-SiC

(6インチSiC対SiC・ウェーファー結合製造の主要なプロセスステップ)

(SiC MOSFETチャネル領域の横切断高解像度伝送電子顕微鏡 (HRTEM) は,上軸層を持つ6インチエンジニアリング基板で製造されている)

(IGSS 6インチワッフルで製造された装置の分布図 (緑色は合格を示し,図 a では90%,図 b では70%の出力)

適用する

• SiC電源装置のパッケージ

• 広帯域半導体の研究開発

• 高温高周波電子モジュール組

• MEMSとセンサー・ウェーバーレベルのパッケージング

• シ,サファイア,またはダイヤモンド基板を含むハイブリッド・ウェーファー統合

Q&A

Q1: SiCを室温で結合する主な利点は?
A: その通りSiCのような壊れやすい 熱膨張基板には不可欠です 熱圧や材料の変形は避けられます

Q2: この装置は一時的な結合に使用できますか?
A: その通りこのユニットは恒久的な粘着に特化したものの,一時的な粘着機能を持つ変種は要求に応じて利用できます.

Q3: 高精度ウエフルの配列をどのように確保しますか?
A: その通りこのシステムは 微小の解像度と自動訂正アルゴリズムで 光学的な調整を使用します