マイクロジェットレーザー機器高エネルギーレーザーとマイクロン液体ジェット技術

産地:中国

最低注文量:2

支払条件:T/T

カウンタートップの容量::300*300*150

定位精度 μm::+/−5

繰り返し位置付け精度 μm::+/-2

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

確認済みサプライヤー

Shanghai Shanghai China

住所：部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード清浦地区上海市,中国 /201799

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製品詳細会社概要

製品詳細

製品紹介

マイクロジェットレーザー装置は高精度で革新的な加工システムですレーザー技術と液体ジェットを巧みに組み合わせて液体媒体を介してレーザービームを導いて精密加工を実現しますこのユニークな設計により,熱を効果的に制御し,加工中に材料の損傷を回避し,非常に高い加工精度を保持することができます.先進的な多軸運動プラットフォームとリアルタイムモニタリング機能半導体から超硬質材料まで,様々な加工ニーズに対応できます. 革新的な液体ジェット設計により,加工品質が向上するだけでなく,しかし,自動で加工エリアを掃除します厳格な清潔性要求のある生産環境に特に適しています.全システムは,現代の精密製造の技術的高度を反映し,要求の高い工業加工に新しい解決策を提供します.

マイクロジェットレーザー加工

仕様

カウンタートップの容量	300300150	400400200
線形軸 XY	線形モーター	線形モーター
線形軸 Z	150	200
定位精度 μm	+/−5	+/−5
繰り返し位置付け精度 μm	+/-2	+/-2
加速 G	1	0.29
数値制御	3軸 /3+1軸 /3+2軸	3軸 /3+1軸 /3+2軸
数値制御型	DPSS Nd:YAG	DPSS Nd:YAG
波長 nm	532/1064	532/1064
定位電源 W	50/100/200	50/100/200
水噴流	40〜100	40〜100
ノズルの圧力バー	50〜100	50から600
寸法 (機械) (幅 * 長さ * 高さ) mm	144519442260	170015002120
サイズ (コントロールキャビネット) (W * L * H)	70025001600	70025001600
重量 (機器) T	2.5	3
体重 (コントロールキャビネット) kg	800	800
処理能力	表面荒さ Ra≤1.6um 開口速度 ≥1.25mm/s 円周切断 ≥6mm/s 線形切断速度 ≥50mm/s	表面荒さ Ra≤1.2um 開口速度 ≥1.25mm/s 円周切断 ≥6mm/s 線形切断速度 ≥50mm/s
処理能力	ガリウムナイトリッド結晶,超幅帯のギャップ半導体材料 (ダイヤモンド/ガリウム酸化物),航空宇宙の特殊材料,LTCC炭素セラミック基板,光伏,スキンチラター結晶および他の材料の加工. 注:加工容量は材料の特性によって異なります.

マイクロジェットレーザーで丸く切ったシリコンカルビッド

申請

半導体製造の分野ではマイクロジェットレーザー機器は,独特の冷凍加工特性により,様々な半導体材料の精密加工のための重要な機器となっていますこの技術は,シリコンカービード (SiC) とガリウムナイトリド (GaN) のウエフルの切断とスライスを含む,第3世代の半導体材料の加工に広く使用されています.切断が不透明で切断ができない超薄質のウエフルの精密加工に特に適しています装置は3DICのシリコン孔 (TSV) の高精度な掘削に使用される.超幅帯隙半導体材料,例えばガリウム酸化物 (Ga2O3) に対して,マイクロジェットレーザー技術も優れた切断と切断能力を示していますさらに,陶器基板,アルミニウムナイトリド (AlN) と他の電子包装材料のマイクロホール加工,シリコンカービッド繊維強化複合材料および他の特殊材料の鋳造加工半導体装置の小型化と高性能により,信頼性の高い製造ソリューションを提供します.