4h-N 100um シリコン・カービッド 磨き粉 SIC結晶の成長のために
適用する:4h-n sic 結晶の成長のために
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
抽象
シリコンカービッド (SiC) は,第3世代の広帯状半導体で,EV,5G,再生可能エネルギーを含む高温,高周波,高電力市場を支配しています.わかったシリコン粉末SiCについて超純粋なシリコン源で SiC結晶の成長と装置の製造のために設計されています.プラズマ支援CVD技術提供する:
- 超高純度:金属不純度 ≤1ppm,酸素 ≤5ppm (ISO 10664-1規格を満たす)
- 収縮可能な粒子の大きさ:D50範囲 0.1~5 μm 狭い分布 (PDI <0.3)
- 優れた反応性:球状の粒子は化学的活動を強化し,SiCの成長率を15~20%増加させる.
- 環境準拠: RoHS 2.0/REACH 認証,無毒,残留リスクゼロ
従来の金属製のシリコン粉末とは異なり 私たちの製品では ナノスケール分散とプラズマ浄化を使用して 欠陥密度を減らすことで 8インチ以上の SiCウエフルの効率的な生産が可能になります.
会社紹介
半導体産業の主要なプレイヤーです 半導体産業は10年以上工場の専門家と販売スタッフのプロフェッショナルなチームを誇っています.客の様々なニーズを満たすため,デザインとOEMの両方を提供しますZMSHでは,価格と品質の両方で優れている製品を提供することにコミットし,あらゆる段階で顧客満足を保証します.詳細の情報や 具体的な要求について お問い合わせください.
シリコン粉 テクニカルパラメータ
| パラメータわかった | わかった範囲わかった | わかった方法わかった | わかった典型的な価値わかった |
|---|---|---|---|
| 純度 (Si) | ≥99.9999% | ICP-MS/OES | 99.99995% |
| 金属不純物 (Al/Cr/Ni) | ≤0.5 ppm (合計) | SEM-EDS | 0.2ppm |
| 酸素 (O) | ≤5ppm | LECO TC-400 | 3.8ppm |
| 炭素 (C) | ≤0.1ppm | LECO TC-400 | 00.05 ppm |
| 粒子の大きさ (D10/D50/D90) | 0調節可能 | マルバーン マスターサイザー 3000 | 1.2 μm |
| 特定の表面面積 (SSA) | 10×50 m2/g | BET (N2吸収) | 35 m2/g |
| 密度 (g/cm3) | 2.32 (真の密度) | パイクノメーター | 2.31 |
| pH (1%の水溶液) | 6.5・75 | pH メーター | 7.0 |
SiC粉末 応用
1シリコン・クリスタル成長わかった
- わかったプロセス: PVT (蒸気輸送) /LPE (液体相エピタキシ)
- わかった役割:高純度Si源は,炭素前体 (C2H2/CH4) と>2000°Cで反応してSiC核を形成する.
- わかった利益:低酸素含有は粒の境界欠陥を最小限に抑え,均質な粒子の大きさは成長率を15~20%向上させる.
わかった2MOCVD エピタキシアル堆積わかった
- わかったプロセス:金属有機CVD (MOCVD)
- わかった役割: n型/p型 SiC 層のドーピング源
- わかった利益: 超純質素材は,上軸層の汚染を防止し,電子トラップ密度 <1014cm−3を達成する.
わかった3CMP ポーリングわかった
- わかったプロセス: 化学 機械 平面化
- わかった役割: SiC基板と反応し,表面を滑らかにするために溶けるSiO2を形成する.
- わかった利益: 球状の粒子は擦り傷のリスクを軽減し,磨き速度はアルミナスラーリと比較して3倍増加します.
わかった4再生可能エネルギーと太陽光発電わかった
- わかった申請: ペロビスキット太陽電池の層輸送孔,固体状態の電解質添加物
- わかった利益: 高SSAは材料の分散を高め,インターフェイス抵抗を軽減します.
製品表示 - ZMSH
SiC粉末FAQ について
Q: シリコンの純度が SiC装置の性能に どう影響するのか?
A: その通り汚れ (例えば,Al,Na) は,キャリア再結合を増加させ,深層レベルの欠陥を生む.我々のシリコン粉末 (<0.5ppm金属) は,6インチSiC MOSFETのRDS(on) を10~15%減少させる.
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