シリコンカービッド生産のためのシリコン炉 PVT Lely TSSG & LPE結晶成長システム

SiCオーブン:高品質のシリコンカービッドの生産のためのPVT,Lely,TSSGおよびLPE結晶成長システム

シリコンカービッド結晶成長炉の抽象

提供していますシリコンカービッド (SiC) クリスタル成長炉含めPVT (物理蒸気輸送),レリー (インダクション方法)そしてTSSG/LPE (液体相成長)テクノロジーを

私たちのPVT炉高品質のSiC結晶を精密な温度制御で提供し 半導体に最適ですレリー炉電子磁気誘導加熱を用いることで,優れた均一性と最小限の欠陥を備えた大型SiC結晶の成長を図る.TSSG/LPE炉超純粋なSiC結晶と高性能電源と光電子機器のための上位軸層の製造に特化した

先進的な自動化,精密なシステム, 堅牢な設計により,我々の炉は様々な産業と研究ニーズを満たします.高技術材料製造における最先端アプリケーションをサポートするSiC結晶の成長のための高性能ソリューション.

シリコンカービッド結晶成長炉の特性

1PVT方法 (物理蒸気輸送)

• 原則: SiCの原材料を高温化するために抵抗式加熱を使用し,その後シード結晶に凝縮してSiC結晶を形成します.

• 適用する: 主に半導体級のSiC単結晶の製造用.

• 利点:
  • 費用対効果の高い生産
  • 中程度の結晶の成長に適しています

• 主要 な 特徴:
  • 高純度グラフィット部品を 使っています
  • 熱対と赤外線センサーによる 高度な温度制御
  • 真空と惰性ガス流通システムは 制御された大気を保証します
  • 自動 PLC システムは 精度と繰り返し性を高めます
  • 統合された冷却システムと廃棄ガス処理システムは,プロセス安定性を維持します.

2レリー方法 (インダクション加熱)

• 原則:高周波電磁誘導を使って 溶融器を熱し,水晶の成長のために SiC粉末を溶解します.

• 適用する: 優れた温度均一性により,大型SiC結晶の成長に最適です.

• 利点:
  • 高熱効率と均質な加熱
  • 成長中に結晶の欠陥を減らす

• 主要 な 特徴:
  • 銅のインダクションコイルとSiCで覆われたピグブルで装備されています
  • 高温真空室を備えて 安定した動作を可能にします
  • 温度とガスの流れを正確に制御する
  • PLCとリモコンモニタリングシステム
  • 効率的な冷却と排気システムで安全性と信頼性を確保します

3TSSG/LPE方法 (液体相成長)

• 原則: SiCを高温の溶融金属に溶解し,制御冷却 (TSSG) を通して結晶を生成するか,SiC層を基板 (LPE) に堆積します.

• 適用する: 超高純度SiC結晶と電源と光電子機器のための角軸層を製造する.

• 利点:
  • 欠陥密度が低く 質の高い結晶が成長します
  • 大量結晶と薄膜堆積の両方に適しています

• 主要 な 特徴:
  • SiC対応のピグブル (例えば,グラフィットやタンタル) を使用する.
  • 2100°Cまで温度を保つための正確な加熱システムです
  • 均等な成長のための高度に制御された回転/位置付けメカニズム
  • 自動化プロセス制御と効率的な冷却システム
  • 高性能電子機器を含む様々な用途に適応できます

シリコンカービッド結晶成長炉の写真

私たちのサービス

1. パーソナライズ された ワンストップ ソリューション
   設計から最適化まで 設計に合わせた PVT,Lely,TSSG/LPE技術を含む パーソナライズされたシリコンカービッド (SiC) 炉ソリューションを提供しています生産目標に合わせて.
    

2. 顧客訓練
   オーブンの操作と保守を 完全に理解できるように 総合的なトレーニングをします 基本的な操作から 先進的なトラブルシューティングまで
    

3. 敷地内設置と使用開始
   私たちのチームは個人的に SiC 炉を設置し,設置します. システムが完全に稼働していることを保証するために,スムーズなセットアップを保証し,徹底的な検証プロセスを行います.
    

4. 販売後サポート
   対応可能な販売後のサービスを提供します. 当社チームは,現場の修理やトラブルシューティングに協力し,ダウンタイムを最小限に抑え,機器をスムーズに動作させることができます.
    

私たちは高品質の炉や 絶え間ないサポートを 提供することに専念しています

Q&A

Q: その通りPVTの物理蒸気輸送方法は?

A: その通りについて物理蒸気輸送 (PVT)高品質の結晶,特にシリコンカービッド (SiC) などの材料の栽培に使用される技術です. PVTでは,固体物質は真空または低圧環境で加熱され,その物質を溶解させる (固体から蒸気に直接変換する)システムを通り抜けて冷たい基板に結晶として堆積する.

Q: その通りSiCの成長方法は?

A について:物理蒸気輸送 (PVT)

PVTでは,SiC材料を真空で熱して蒸発し,蒸気が冷たい基板に堆積することを可能にします.この方法は,半導体にとって理想的な高品質の大きなSiC結晶を生成します.

化学蒸気堆積 (CVD)

CVDでは,シランやプロパンなどのガス状の前駆物質が,基板に反応してSiCを形成する部屋に導入される.薄膜と散装結晶を生産するために使用される.レリー方法 (インダクション加熱)

レーリー方法では,インダクション加熱で大きなSiC結晶を培養する.加熱されたSiC材料からの蒸気は種子結晶に凝縮する.

溶液成長 (TSSG/LPE)

この方法では,溶けた溶液からSiCを培養し,高性能装置に最適な超純晶と上軸層を生成します.