Si ウェーファー/基板 8 インチ厚さ 675-775 μm,P/Nタイプ,方向性 111,ダブル/シングルサイドポーリング

8インチ Si ワッファー Si 基板 111 ポリシング P タイプ N タイプ マイクロ電気機械システム (MEMS) の半導体 または パワー半導体装置 または 光学部品およびセンサー

8インチシリコン・ウェーファー (111) クリスタル・オリエンテーション

半導体産業の重要な部品で 電力電子などの高度なアプリケーションに広く使用されていますマイクロ電子機械システム (MEMS)このウエファーは高純度シリコンで製造され,そのユニークな (111) 結晶向きは,特定の電気,機械,特定の半導体プロセスや装置設計に不可欠な熱特性.

シリコン・ウェーバーとは?

シリコンウエファーは,高純度シリコン結晶から作られた薄い平坦なディスクである.統合回路 (IC) や他の半導体装置の製造のための基礎基板として機能する.ワファーは酸化などの様々な加工段階を経ます複雑な回路を作り出すために 電子機器の幅広い範囲で使用されています

結晶 の 方向性 と その 重要性

について シリコンウエフルの結晶方向は,結晶格子内のシリコン原子の配置を指す.通常はミラー指数 (100), (110) や (111) によって表される.シリコンウエフルの (111) 向きは,原子が結晶構造内で特定の方向に並べられていることを意味しますこの方向性は,表面エネルギー,エッチング特性,キャリア移動性などの,デバイスの性能を最適化するために不可欠な,ウエファの物理特性に著しく影響します.

(111) クリスタルオリエンテーションの利点:

1. 強化された電気特性: (111) の向きは,特に電源半導体装置では,通常より優れた熱伝導性と電気性能を提供します.
2. 電力装置に最適化: (111) ウェーファー向きは,高断熱電圧,優れた熱散,および高電圧下で安定性があるため,電力半導体装置で好ましい.
3. 熱管理 の 改善: (111) 結晶は高電力のトランジスタや二極管などのアプリケーションにとって不可欠な熱伝導性を向上させる.
4. よりよい表面形状: (111) 表面は滑らかな表面を示す傾向があり,これは特定のマイクロ製造プロセスとMEMS装置に理想的です.

8インチ (111) シリコン・ウェーファーの仕様

1. 直径: 8インチ (200mm) のシリコンウエファは,半導体製造に使用される標準サイズです.そのサイズは,単一のウエファから複数のチップを作成することができます.大量生産に費用対効果を上げること.
2. 厚さ: 8インチ (111) のシリコンウエファの典型的な厚さは約675〜775ミクロン (μm) です.しかし,厚さは顧客の特定の要求に応じて異なります.
3. 耐性:ウエフルの電動特性決定には,ウエフルの抵抗性が決定的である.抵抗性は通常,1 Ω·cmから1000 Ω·cmの間であり,N型およびP型ドーピングがこの値に影響を与える..抵抗性は,電源電子や太陽電池などの様々なアプリケーションの要求に応えるように調整できます.
4. ドーピングタイプ: シリコンウエファは,電導性を制御するために,ボロン (P型) やリン (N型) などのP型またはN型不純物でドーピングすることができます.N型ウエファは,電子の移動性が向上したため,太陽電池のような高効率のアプリケーションにしばしば好まれる..
5. 表面の質: 表面は1nm未満の粗さ (RMS) を有する非常に滑らかな仕上げに磨かれます.半導体製造に必要な正確な加工に適していることを保証します総厚さ変化 (TTV) は通常20μm未満で,ウエファー全体で均一性を確保する.
6. 平面またはノッチ: 装置の処理中に方向性を容易にするために,ウエファは通常,111の結晶方向性を示す平面またはノッチで標識されます.これは,光立体とエッチングの段階中にウエファーを調整するのに役立ちます..

8インチ (111) シリコンウエフルの用途

1. 電力半導体装置: 8インチ (111) シリコンウエファーは,ダイオード,トランジスタ,パワーMOSFET (金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ) などの電力装置に広く使用されています.これらの装置は,電気自動車 (EV) などのアプリケーションで高電圧と電流を処理するのに不可欠です太陽光発電や風力発電などの再生可能エネルギーシステムと電網です

2. マイクロ電子機械システム (MEMS): MEMSデバイスは,単一のチップ上の機械的および電気的部品を組み合わせ,機械的強度,精度,表面特性により (111) 方向性から恩恵を受ける.MEMSデバイスは,センサーなどの様々なアプリケーションで使用されています.自動車,医療,消費者電子機器で見られる加速計やジロスコップ.

3. 光伏 (太陽光) セル: (111) の方向性は,シリコンベースの太陽電池の性能を向上させることができる.超 高い 電子 移動 性 と 効率 的 な 光 吸収 特性 に よっ て,高 効率 の 太陽 パネル に 使える よう に なり ますできるだけ多くの太陽光を電気エネルギーに変換することです.

4. 光電子機器: (111) シリコンウエファーは光センサー,光検出器,レーザーを含む光電子装置にも使用されます.このアプリケーションに必要な高精度に対応する高品質の結晶構造と表面特性.

5. 高性能IC: 高性能集積回路 (IC),RF (無線周波数) アプリケーションやセンサーで使用されるものを含む,特殊な物理特性を利用するために (111) 向きのシリコンウエファーを使用する.

Si ワッフル の 適用 図

製造プロセス

8インチ (111) シリコンウエファの製造プロセスは,通常,いくつかの重要なステップを含みます.

1. 結晶 の 成長高純度シリコンは 溶かして チョクラルスキープロセスのような方法を使って 大きな単一結晶に成長します
2. ウェーファー切断: シリコン結晶は,必要な直径の薄く平らな円盤に切ります.
3. 磨き と 清掃: 表面 の 欠陥 や 汚染 を 除去 する ため に,スムーズ な 鏡 の よう な 仕上げ に なる よう に 薄め られ ます.
4. 検査と品質管理: ワファーは,欠陥,厚さの変化,結晶の方向性について,高度な測定機器を用いて厳格に検査されます.

結論

8インチ (111) のシリコンウエファーは,高度に専門化された材料で,様々な先進技術において重要な役割を果たしています.熱力耐久性,厚さなどのカスタマイズ可能なパラメータを提供することで,ドーピングタイプ現代の電子機器とエネルギーソリューションの進歩に貢献する.