N型SiCがSi複合ウエファーに6インチ150mmSiC型4H-N型Si型NまたはP型
モデル番号:N型SiCがSi複合ウエファーに
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直径:150±0.2mm
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N型SiCがSi複合ウエファーに6インチ150mmSiC型4H-N型Si型NまたはP型
N型SiCをSi化合物・ウェーファー抽象
N型シリコンカービード (SiC) は,高電力および高周波の電子機器における有望な応用により,シリコン (Si) 化合物ウエファーに注目されています.この研究では,Si化合物ウエフルの上でN型SiCの製造と特徴を提示しています.化学蒸気堆積 (CVD) を利用して,高品質の N型SiC層を Si基板に成功裏に培養しました.格子不一致や欠陥を最小限に抑える複合ウエフルの構造的整合性は,X線 difrction (XRD) とトランスミッション電子顕微鏡 (TEM) の分析によって確認されました.均質なSiC層を明らかにし,優れた結晶性を有する電気測定により 優れたキャリア移動性と 抵抗が減ったことが示され このウエファーは 次世代の電源電子機器に最適になりました熱伝導性が従来のシシウエフと比較して向上しました高電力アプリケーションでよりよい熱散に寄与する.結果は,Si化合物ウエフルのN型SiCは,確立されたシリコン技術プラットフォームと高性能SiCベースのデバイスを統合するための大きな可能性を秘めています..
仕様と図面N型SiCがSi複合ウエファーに
| ポイント | 仕様 | ポイント | 仕様 |
|---|---|---|---|
| 直径 | 150 ± 0.2 mm | Si オリエンテーション | <111>/<100>/<110> |
| SiC型 | 4H | Si型 | P/N |
| SiC抵抗性 | 0.015~0.025 Ω·cm | 平らな長さ | 47.5 ± 1.5 mm |
| SiC層の移転厚さ | ≥0.1 μm | エッジ・チップ・スクラッチ・クラック (視覚検査) | ない |
| 無効 | ≤5 ea/wafer (2 mm < D < 0.5 mm) | TTV | ≤5 μm |
| 前面の荒さ | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) | 厚さ | 500/625/675 ± 25 μm |
N型SiCがSi化合物・ウェーバーの写真
N型SiCがSi複合ウエフルのアプリケーションに使用される
N型SiCは,シリコンカービード (SiC) とシリコン (Si) の特性のユニークな組み合わせにより,様々な用途があります.このアプリケーションは主に高電力高温および高周波の電子機器.いくつかの主要な用途には,以下が含まれます:
電力電子機器:
- 電源装置: N型SiCは二极管,トランジスタ (MOSFET,IGBTなど) や直導体などの電源装置の製造に使用される.SiC の高断熱電圧と低電電阻の恩恵を受けますシリコン基板は既存のシリコンベースの技術とより簡単に統合できます.
- 変換機とインバーター: これらのウエファは,効率的なエネルギー変換と熱管理が不可欠な再生可能エネルギーシステム (例えば太陽光インバーター,風力タービン) の変換器やインバーターに使用されます.
自動車用電子機器:
- 電気自動車 (EV): 電動車やハイブリッド車では,インバーター,コンバーター,搭載充電器を含むパワートレイン部品に N 型 SiC on Si ワッフルが使用されます.SiC の高効率性と熱安定性により,よりコンパクトで効率的な電源電子機器が可能になりますより良い性能と長持ちのバッテリーを
- バッテリー管理システム (BMS)電気自動車の電池の充電と放電に関連した高電力レベルと熱圧を管理するために,これらのウエファはBMSでも使用されています.
RF とマイクロ波装置:
- 高周波 応用: N型SiCは,電信およびレーダーシステムで使用される増幅器や振動器を含む無線周波数 (RF) およびマイクロ波装置に適しています.SiC の高い電子移動性は,高い周波数でより速い信号処理を可能にします.
- 5G テクノロジー: これらのウエファは,5Gベースステーションやその他の通信インフラストラクチャコンポーネントで使用可能で,高電力処理と周波数操作が必要である.
航空宇宙と防衛:
- 厳しい環境 電子機器:ウエファは,電子機器が極端な温度,放射線,機械的ストレスの下で信頼的に動作しなければならない航空宇宙および防衛アプリケーションで使用されます.耐久性も高いので,このような環境に最適です.
- 衛星用電源モジュール: 衛星電源モジュールでは,これらのウエファが効率的なエネルギー管理と宇宙条件での長期的信頼性に貢献します.
産業用電子機器:
- モータードライブ: N型SiCのシウミリンパネルは,効率を向上させ,電源モジュールのサイズを削減する産業用モータードライブで使用されます.低エネルギー消費と高電力産業用アプリケーションの性能向上につながります.
- スマートグリッド■ これらのウエファは,高効率の電力変換と配送が電気負荷の管理と再生可能エネルギーの統合に不可欠なスマートグリッドの開発に不可欠です.
医療機器:
- 植入可能な電子機器SiCの生物相容性と強度, Siの加工の利点と組み合わせた高い信頼性と低電力消費を必要とするインプランタブル医療機器に適している.
概要すると,N型SiCがSi化合物ウエファーには多用性があり,困難な環境で高効率,信頼性,性能を必要とするアプリケーションでは不可欠です.現代の電子技術の進歩に重要な材料となる.
N型SiCがSi複合ウエファーに6インチ150mmSiC型4H-N型Si型NまたはP型
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