JGS1 JGS2 センサー製造とパッケージングのためのサファイアコーニンググラス

産地:中国

支払条件:T/T

配達時間:2〜4週間

外の直径（OD）:25 ̇ 100 ンム

最低音声:~2x 過剰摂取

タイプ:透き通しで盲目

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

確認済みサプライヤー

Shanghai Shanghai China

住所：部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード清浦地区上海市,中国 /201799

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 38 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

JGS1 JGS2 センサー製造とパッケージングのためのサファイアコーニンググラス

製品概要

私たちのTGV技術 (Through-Glass Vias) は,JGS1,JGS2,サファイア,コーニングガラスなどの高級素材を用いて,センサーの製造と梱包のための革新的なソリューションを提供しています.この技術は,性能を向上させるために設計されています自動車,航空宇宙,医療,消費者電子機器を含む様々な産業で使用されているセンサーの信頼性,統合能力.

製品特性

Through-Glass Vias (TGV) は,コンパクトな相互接続ソリューションを提供することによってデバイスの小型化が可能である.この技術は,シリコンウエファーとアノード結合もサポートする.粘着性のないプロセスで排気問題を排除するTGV は高周波の性能が優れているため,低散歩容量によりRFアプリケーションに最適です.最低インダクタンスこの特性により,TGVはWL-CSP MEMSパッケージングに非常に効率的です.

さらに,TGV技術は,ピッチ耐性を確保し,ピッチは200mmのワファーごとに20μm未満の一貫したピッチを維持します.この精度は,変化が ±20μm未満に保たれるTGVは直径200mmまでのウエファーで使用可能で,アプリケーションの柔軟性をさらに高めます.

標準仕様
材料		ボロフロート33 SW-YY
ガラスサイズ		√φ200mm
最小厚さ		0.3mm
ミニ経直径		φ0.15mm
穴の大きさの許容量		±0.02mm
最大の側面比		1 ポイント: 5
材料を通して		タングステン
密閉性による (漏れ検査)		1×10-9パ・ム3/s
グラスの隙間	性感染症	0μm〜3.0μm
	オプション1	0μm〜1.0μm
	オプション2	-3.0μm〜0μm
形を通して		ストレート
穴のプロセス		入手可能
メタライゼーションプロセス		入手可能
バンププロセス		入手可能

注: これらは標準仕様です.
上記以外のご要望がある場合は,ご自由にご連絡ください.

透明ガラスバイアスの製造

TGV基板は,レーザーとエッチング技術の組み合わせを使用して製造されます.レーザーはガラスの構造を変化させますレーザー誘導エッチングと呼ばれるこのプロセスは,レーザー誘導エッチングと呼ばれる. レーザー誘導エッチングは,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘導エッチングの過程で,レーザー誘ガラスの内側には,盲目と透き通りのビアスが作れます.先進的なレーザー加工とエッチング技術により,非常に高いアスペクト比が作れます.

角度は:

高性能コンピューティング,第5世代 (5G) 通信,IoT (IoT) アプリケーションにおける帯域幅の需要の増加により,2.5Dと3Dのインターポーザーこれらの技術では,垂直接続では高周波損失が低く,穴の深さと寸法の比率が高くなり,これは高画幅のTGVを使用することを必要とする.さらに密度の高い経路と呼ばれる,密度が近い多くの経路が必要である.ある領域で密度の高い経路を達成するには,各経路が最小限のスペースを占める必要があります.したがって,これは,より小さな角角の需要につながります.より大きな開口角を持つバイアスが,より大きな角形を持つバイアスが,より好ましいものになっていきます.