2inch 4inch 6inchのサファイアのウエファーの基質の単結晶C Miscut Aの程度Mの平面
型式番号:C軸線のM軸線のキャリアのサファイアのウエファー
原産地:中国
最低順序量:25pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの1000PCS
受渡し時間:2週
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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2inch 4inch 6inchのサファイアのウエファーの基質の単結晶C Miscut Aの程度Mの平面
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約総合的なサファイア ガラス
中国で多くの会社によってサファイア
ガラスの成長のためのKyropoulosプロセス（KYプロセス）が現在電子工学および光学工業のためのサファイアを作り出すのに使用されている。
高純度、酸化アルミニウムは2100以上の摂氏温度のるつぼで溶ける。通常るつぼはタングステンかモリブデンから成っている。正確に方向づけられた種結晶は溶解したアルミナに浸る。種結晶はゆっくり上向きに引っ張られ、同時に回るかもしれない。正確に気温傾度を、制御することによって、および温度の減少引きの率、の率溶解から大きく、single-crystal、大体円柱インゴットを作り出すことは可能である。
単結晶のサファイアの後でboulesは育つ、円柱棒に中心あく、棒は望ましい窓の厚さにスライスされ、望ましい表面の終わりに最終的に磨かれる。
半導体回路のための基質として使用
薄いサファイアのウエファーはケイ素を沈殿させるためにサファイアか「SOS」で集積回路をケイ素として知られているように、優秀な電気絶縁の特性のほかにするためにサファイアに高い熱伝導性がある絶縁の基質の最初の巧妙な使用だった。サファイアのCMOSの破片は携帯電話、公衆安全バンド
ラジオおよび衛星通信システムに見つけられるそれらのような強力な無線周波数（RF）の適用のために特に有用である。
single-crystalサファイアのウエファーはガリウム窒化物（GaN）に基づいて装置の成長のために基質として半導体工業でも使用される。サファイアの使用はかなりゲルマニウムの費用約7分の1があるので、コストを削減する。サファイアのガリウム窒化物は青い発光ダイオード（LEDs）で一般的である。
窓材料として使用される
総合的なサファイアは（時々サファイア ガラスと言われる） 750 nmに150 nm （紫外線）と5500 nm
（IR）間のライトの波長に対して非常に透明（可視スペクトルであるので窓材料として一般的、伸ばす約380
nmをおよび非常に傷抵抗力があるである。サファイアの窓の主な利点は次のとおりである:
*紫外線からのnear-infraredへの非常に広い光学伝達バンド
*他の光学材料またはガラス窓よりかなり強い
*負傷および摩耗（ミネラル硬度のスケールのMohsスケールの9、moissaniteの隣の第3最も堅く自然な物質およびダイヤモンド）に対して非常に抵抗力がある
*非常に高い溶ける温度（2030年の°C）
CATALOGU及びStcokのリスト
標準的なウエファー 2インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 3インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 4インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP 6インチのC平面のサファイアのウエファーSSP/DSP | 特別な切口 平面の（1120の）サファイアのウエファー R平面の（1102の）サファイアのウエファー M平面の（1010の）サファイアのウエファー N平面の（1123の）サファイアのウエファー 軸線またはM軸線の方の0.5°~ 4°のoffcutとのC軸線、 他のカスタマイズされたオリエンテーション |
カスタマイズされたサイズ 10*10mmのサファイアのウエファー 20*20mmのサファイアのウエファー 超薄い（100um）サファイアのウエファー 8インチのサファイアのウエファー | 模造されたサファイアの基質（PSS） 2インチのC平面PSS 4インチのC平面PSS |
| 2inch | DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt SSPのC軸線0.2/0.43mm （DSP&SSP） axis/M axis/R軸線0.43mm
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| 3inch | DSP/SSPのC軸線0.43mm/0.5mm
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| 4Inch | dsp c軸線0.4mm/0.5mm/1.0mm sspのc軸線0.5mm/0.65mm/1.0mmt
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| 6inch | sspのc軸線1.0mm/1.3mmm
dspのc軸線0.65mm/0.8mm/1.0mmt
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2inch 4inch 6inchのサファイアのウエファーの基質の単結晶C Miscut Aの程度Mの平面
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