2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3のウエファーのリチウム ニオブ酸塩の薄膜はシリコン基板で層になる

2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3のウエファーのリチウム ニオブ酸塩の薄膜はシリコン基板で層になる

LNOIのウエファーの準備プロセスは次の5つのステップを含んで、次示されている:

（1）イオン・インプランテーション: イオン・インプランテーション機械がリチウム ニオブ酸塩の水晶の上面から高エネルギー彼をイオン運転するのに使用されている。彼が特定のエネルギーのイオン水晶に入る場合、それらはLNの水晶の原子そして電子によっておよびこの位置の近くの結晶構造を破壊し、上部および下のA/Bの層にLNの水晶を裂く特定の深さの位置に次第にとどまるために減速し、妨げられる。そして私達がLNOIを作る必要があること地帯Aは薄膜であることを行っている。

（2）基質の準備: 薄膜のリチウム ニオブ酸塩のウエファーを作るためには、確かに中断された状態に何百ものnm LNの薄膜を残すことは可能ではない。下にあるサポート資料は要求される。共通SOIのウエファーでは、基質は500umより多くの厚さのシリコンの薄片の層であり、それからSiO2誘電性の層は表面で準備される。最後に、モノクリスタル ケイ素の薄膜は上面でSOIのウエファーを形作るために結ばれる。LNOIのウエファーのため、SiおよびLNは一般的な基質であり、それからSiO2誘電性の層は熱酸素またはPECVDの沈殿プロセスによって準備される。誘電性の層の表面が不均等ならそれに続く接着プロセスのために便利の上面を滑らかおよび滑らかにさせるために、化学機械粉砕CMPプロセスは必要である。

（3）フィルムの結合: ウエファーの結合装置を使用して、イオンはLNの水晶を180度逆転し、基質と結んだ植え付けた。ウエファーの水平な生産のために、両方の基質の接着表面およびLNは中間つなぎ材料のための必要性なしで直接結合によって、通常滑らかになる。科学研究のために、死ぬために達成するのに死ぬために中間層のつなぎ材料としてまたBCB （benzocyclobutene）が結合使用することができる。BCBの接着モードに科学研究の実験のために非常に適している接着表面の滑らかさの低い条件がある。但し、BCBSに長期にわたる安定性がない、従ってBCBの結合は通常ウエファーの生産で使用されない

（4）アニールし、除去: 2つの水晶表面の後で結ばれ、突き出された、高温アニーリングおよび除去プロセスは要求される。2つの水晶の表面は合った後インターフェイス結合力を増強する、AおよびBのフィルムが次第に分かれているように、特定の温度で最初にある特定のひとときを維持し注入されたイオン層の泡を作る。最後に、機械設備が2つのフィルムの離れて皮をむき、次に全体のアニーリングおよび除去プロセスを完了するために次第に室温に温度を減らすのに使用されている。

（5） CMPの平らになること: 焼きなましの後で、LNOIのウエファーの表面は荒く、不均等である。それ以上にCMPの平らになることは必要フィルムをウエファーの表面の平たい箱で作り、表面の粗さを減らすためにである。

独特の指定

リチウム ニオブ酸塩の非常に薄いフィルムの表示はシリコン基板で層になる

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