6インチの炭化ケイ素SiCはグラファイトの皿の高温抵抗のグラファイトの版に塗った
型式番号:6インチ
原産地:中国
最低順序量:5-10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1000PCS/Week
受渡し時間:1-3weeks
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
6インチシリコンカービッド SiCコーティンググラフィットトレイ 高温耐性グラフィットプレート
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
適用する | 半導体集成回路 |
純度比<5ppm | |
ナノスケールコーティングと良いドーピング均一性 | |
密封性能も良し 強い塗料塗装粘着能力 | |
腐食抵抗性のあるブロック炭素元素結合 | |
プロのカスタム仕様サービス | |
短時間 | |
国際加工製品と安定した配達時間 | |
製品性能を迅速に改善するサービス |
カタログ COMMON SIZE
| グレード | 散布密度 | 折りたたみ力 | 圧縮力 | 特殊抵抗性
| 灰の含有量 |
| GSK-II | 1.72g/cc分 | 15Mpa分 | 32Mpa分 | 8.0μΩ•m 最大 | 0最大0.3% |
| HPM-II | 1.78g/cc分 | 18Mpa分 | 35Mpa分 | 10μΩ•m 最大 | 0最大0.1% |
| HPM-III | 1.83g/cc分 | 35Mpa分 | 68Mpa分 | 10μΩ•m 最大 | 0最大0.1% |
| 他の様々なグレードのグラフィットが利用できます. あなたの必要な材料が上記のグレードに属していない場合は,躊躇せずに私たちと連絡してください.私たちの専門的で経験豊富なエンジニアは,あなたの特定のアプリケーションに応じて最も適切なグレードを選択します. | |||||
ZMKJ会社について
ZMKJは電子および光電子産業に高品質のシングルクリスタルSiCウエファー (シリコンカーバイド)
を提供できます.SiCウエファは次世代の半導体材料です.独特の電気特性と優れた熱特性を持つシリコン・ウェーバーとガア・ウェーバーと比較して,SiC・ウェーバーは高温および高電力装置の適用に適しています.SiC・ウェーバーは直径2-6インチ,4Hと6H
SiCの両方で供給できます.N型,窒素ドーピング,半絶縁型は利用可能です. 詳細については,ご連絡ください.
私たちの関係製品
サファイア・ウエファー&レンズ/リタO3・クリスタル/シシ・ウエファー/ラアルO3/スルティオ3/ウエファー/ルビー・ボール
よくある質問
Q: 送料と費用は?
A:(1) DHL,Fedex,EMSなどを受け付けます.
(2) オーケー,あなたの独自のエキスプレス口座を持っている場合,そうでない場合,我々はあなたがそれらを送る助けることができます.
貨物は実際の決済に準拠しています.
Q: どうやって支払いますか?
A:T/T 配送前100%の預金
Q: MOQは何ですか?
A: (1) インベントリーでは,MOQは1pcsです. 2-5pcsなら,それはより良いです.
(2) カスタマイズされたコンメン製品の場合は,MOQは10pcsです.
Q: 配達時間は?
A: (1) 標準製品については
注文後 5 営業日以内に届けます
オーダーメイド製品: 配送は注文後2〜4週間です.
Q: 標準的な製品がありますか?
A: 標準品は4インチ0.35mmの基板です.
6インチの炭化ケイ素SiCはグラファイトの皿の高温抵抗のグラファイトの版に塗った
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