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2inch INPウエファー3inch 4inch N/PのタイプINP半導体の基質ウエファーによって添加されたS+/Zn+ /Fe +リン化インジウムはエピタキシアル ウエファーの単結晶のリン化インジウムのウエファーINPウエファー2 inch/3 inch/4のインチ350-650 um INP水晶ウエファーのダミーの主な半導体の基質を基づかせていた
サイズ(mm) | Dia50.8x0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mmはカスタマイズすることができる |
RA | 表面の粗さ(RA):<> |
ポーランド | 単一または倍磨かれる味方しなさい |
パッケージ | 単一100つまたは倍は磨かれて味方する |
それに高い電子限界の漂流の速度、よい放射抵抗およびよい熱伝導の利点がある。のために適した
製造の高周波、高速、強力なマイクロウェーブ装置および集積回路。
ウエファーの直径(mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
厚さ(um) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
TTV-P/P (um) | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
TTv P/E (um) | ≤10 | ≤15 | ≤15 |
歪めなさい(um) | ≤15 | ≤15 | ≤15 |
の(mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
OF/IF (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±11 |
記述 | 適用 | 波長範囲 |
INPはEpiウエファーを基づかせていた | FPレーザー | ~1310nm;~1550nm;~1900nm |
DFBレーザー | 1270nm~1630nm | |
なだれのフォトディテクター | 1250nm~1600nm | |
フォトディテクター | 1250nm~1600nm/>2.0um (InGaAsの吸収性の層);<1> |
製品名 |
高い純度のリン化インジウムの多結晶性基質シート |
鉄によって添加されるリン化インジウムの水晶 |
NタイプおよびPタイプのリン化インジウムの水晶 |
4インチのリン化インジウムの単結晶のインゴット |
リン化インジウムはエピタキシアル ウエファーを基づかせていた |
リン化インジウムの半導体の水晶基質 |
リン化インジウムの単結晶の基質 |
インジウムのアンチモン化物の単結晶の基質 |
インジウムのヒ素の単結晶の基質 |
---FAQ –
:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品がなければ15-20日である
在庫では、それは量に従ってある。