テンプレート オン ダイヤモンド ウエハー 基板 AlN エピタキシャル フィルム

AlN on Diamond テンプレートウェーハ ダイヤモンド基板上の AlN エピタキシャル膜 AlN on Sapphire /AlN-on-SiC/ AlN-ON シリコン

ダイヤモンドのAlNテンプレートを知ることへようこそ~~

AlNの利点
• ダイレクト バンド ギャップ、バンド ギャップ幅 6.2eV は、重要な遠紫外および紫外発光材料です。
• 高絶縁破壊電界強度、高熱伝導率、高絶縁、低誘電率、低熱膨張係数、優れた機械的性能、耐食性、高温および高周波で一般的に使用
ハイパワーデバイス
• 非常に優れた圧電性能 (特に C 軸に沿って)。これは、さまざまなセンサー、ドライバー、およびフィルターを準備するための最良の材料の 1 つです。
• GaN 結晶に非常に近い格子定数と熱膨張係数を持ち、GaN ベースの光電子デバイスのヘテロエピタキシャル成長に適した基板材料です。

AlNの三大製品

1. AlN-ON-シリコン
高品質の窒化アルミニウム (AlN) 薄膜は、複合堆積によってシリコン基板上にうまく調製されました。XRD(0002)ロッキングカーブの半値幅は0.9°未満、成長面の表面粗さはRa<
1.5nm（窒化アルミニウム厚さ200nm）の高品質窒化アルミニウム膜により、窒化ガリウム（GaN）の大型化、高品質化、低コスト化を実現します。

 サファイアベースの AlN-On-Sapphire

複合堆積によって調製されたサファイア（サファイアベースの窒化アルミニウム）上の高品質AlN、XRD（0002）スイングカーブの半値幅<0.05°、成長表面の表面粗さ
Ra<1.2nm (窒化アルミニウムの厚さは 200nm) は、製品品質の効果的な管理を実現するだけでなく、製品品質を大幅に向上させ、製品の安定性を確保するだけでなく、
製品コストと生産サイクルが削減されます。顧客検証は、CSMC のサファイア上の高品質 AlN が UVC LED 製品の歩留まりと安定性を大幅に改善できることを示しています。
定性的、製品性能の向上に役立ちます。
3.ダイヤモンドベースの AlN-On-Diamond
CVMCは世界で初めて、革新的にダイヤモンドベースの窒化アルミニウムを開発しています。XRD(0002)スイングカーブの半値幅は3°以下であり、ダイヤモンドは超高熱伝導率(室温での熱伝導率は
最大2000W/m・K）成長面の表面粗さRa＜2nm（窒化アルミニウムの厚さ200nm）で、窒化アルミニウムの新たな用途に貢献します。

アプリケーションの利点

• UVC LED基板
プロセス コストと高い歩留まりと高い均一性の要件によって駆動される、AlGaN ベースの UVC LED チップの基板は、厚さが大きく、サイズが大きく、適切な傾斜があります。面取りされたサファイア基板は優れた選択肢です。基板を厚くすることで、エピタキシャル成長時の応力集中によるエピタキシャルウェーハの異常歪みを効果的に緩和することができます。
エピタキシャルウェーハの均一性を向上させることができます。より大きな基板は、エッジ効果を大幅に削減し、チップの全体的なコストを迅速に削減できます。適切な面取り角度は
エピタキシャル層の表面形態を改善するか、エピタキシャル技術と組み合わせて、量子井戸の活性領域にGaリッチキャリア局在効果を形成し、発光効率を改善します。
•遷移層
AlNをバッファ層として使用すると、GaN膜のエピタキシャル品質、電気的および光学的特性を大幅に改善できます。GaNとAIN基板間の格子不整合は2.4%で、熱不整合はほぼゼロで、高温成長による熱応力を回避できるだけでなく、生産効率も大幅に向上します。
• その他のアプリケーション
さらに、AlN 薄膜は、表面弾性波デバイス (SAW) の圧電薄膜、バルク弾性波デバイス (FBAR) の圧電薄膜、SOI 材料の埋め込み層の絶縁、および単色冷却に使用できます。
陰極材料 (電界放出ディスプレイやマイクロ真空管に使用) および圧電材料、高熱伝導デバイス、音響光学デバイス、紫外線および X 線検出器。
空コレクタ電極発光、MIS素子の誘電体材料、光磁気記録媒体の保護層。