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6"への私達の2つは『半導体の集積回路の塗布及びLEDの全般照明の適用で『半導体及びsemi-insulating GaAsの水晶及びウエファー乱暴に使用される。
特徴 | 適用分野 |
---|---|
高い電子移動度 | 発光ダイオード |
高周波 | 半導体レーザー |
高い変換効率 | 光起電装置 |
低い電力の消費 | 高い電子移動度のトランジスター |
直接バンド ギャップ | ヘテロ接合の両極トランジスター |
半導体GaAsのウエファーの指定
成長方法 | VGF | |||
添加物 | pタイプ:Zn | nタイプ:Si | ||
ウエファーの形 | 円形(dia:2"、3"、4"、6") | |||
表面のオリエンテーション* | (100) ±0.5° | |||
*利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション | ||||
添加物 | Si (nタイプ) | Zn (pタイプ) | ||
キャリア集中(cm3) | (0.8-4の) × 1018 | (0.5-5の) × 1019 | ||
移動性(cm2/V.S.) | (1-2.5の) × 103 | 50-120 | ||
腐食ピッチ密度(cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
ウエファーの直径(mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
厚さ(µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
ゆがみ(µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
の(mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
の/(mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E、 | E/E、 | E/E、 |
semi-insulating GaAsのウエファーの指定
成長方法 | VGF | |||
添加物 | SIのタイプ:カーボン | |||
ウエファーの形 | 円形(DIA:2"、3"、4"、6") | |||
表面のオリエンテーション* | (100) ±0.5° | |||
*利用できる要望に応じて多分他のオリエンテーション | ||||
抵抗(Ω.cm) | ≥ 1の× 107 | ≥ 1の× 108 | ||
移動性(cm2/V.S) | ≥ 5,000 | ≥ 4,000 | ||
腐食ピッチ密度(cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
ウエファーの直径(mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
厚さ(µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
ゆがみ(µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
の(mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ノッチ |
の/(mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E、 | E/E、 | E/E、 | E/E、 |
FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
(2)あなた自身の明白な数があれば、大きい。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができる。Freight=USD25.0 (最初の重量) + USD12.0/kg
Q:支払う方法か。
Alibabaおよび等のT/T、Paypal、西連合、MoneyGram、安全な支払および貿易保証…
Q:MOQは何であるか。
(1)目録のための、MOQは5pcsである。
(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-20pcsである。
それは量および技術によって決まる
Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。
包装– Logistcs
私達はそれぞれにパッケージの細部、帯電防止クリーニング衝撃処置かかわる。量そして形のプロダクトに従って、
私達は別の包装プロセスを取る!