光学正方形40x3mmt 6H-N Sicのケイ素 カーボン破片

力装置企業のSiCの適用

ケイ素装置によって比較されて、炭化ケイ素（SiC）力装置は効果的に力の電子システムの高性能、小型化およびライト級選手を達成できる。SiC力装置のエネルギー損失はSi装置の50%だけであり、熱生成はまたケイ素装置の50%だけ、SiC持っているより高い電流密度をである。同じパワー レベルで、SiC力モジュールの容積はケイ素力モジュールのそれよりかなり小さい。理性的な力モジュールIPMに、SiC力装置を使用して、モジュールの容積を一例として取ることは1/3からケイ素力モジュールの2/3に減らすことができる。

3つのタイプのSiC力のダイオードがある:ショットキー ダイオード（SBD）、ピン・ダイオードおよび接続点障壁はショットキー ダイオード（JBS）を制御した。ショットキー障壁のために、SBDにより低い接続点障壁の高さがある、従ってSBDに低い前方電圧の利点がある。SiC SBDの出現は250Vからの1200VにSBDの適用範囲を拡大した。さらに、高温の特徴は室温から175 °によい、逆の漏出流れ増加しないC。3kVの上の整流器の適用分野では、SiC PiNおよびSiC JBSのダイオードはケイ素整流器より高い絶縁破壊電圧、速く切り替え速度の、小型および軽い重量による多くの関心を引いた。

SiC力MOSFET装置に理想的なゲートの抵抗、高速転換の性能が、低いオン抵抗および安定性が高いある。それは300V以下力装置の分野の優先する装置である。10kVの妨害電圧の炭化ケイ素MOSFETが首尾よく開発されたレポートがある。研究者はSiCのMOSFETsが3kV - 5kVの分野の有利な位置を占めることを信じる。

SiCはゲートの両極トランジスター（SiC BJT、SiC IGBT）を絶縁し、SiCのサイリスタ（SiCのサイリスタ）、12のkVの妨害電圧のSiC PタイプIGBTの装置によい前方現在の機能がある。Siの両極トランジスターによって比較されて、SiCの両極トランジスターに低が損失およびより低いturn-on電圧低下を転換する20-50倍ある。SiC BJTはエピタキシアル エミッターBJTに主に分けられ、イオン・インプランテーションのエミッターBJTは10-50の間に、典型的な現在の利益ある。

LEDの企業のSiCの適用

現在、サファイア ガラスは光電子工学装置工業で使用される基質材料のための最初の選択であるがサファイアに絶縁体として格子不適当な組み合わせ、熱圧力の不適当な組み合わせ、高い抵抗のようなおよび悪い熱伝導性、克服することができないある欠点がある。従って、SiCの基質の優秀な特徴は多くの注意を引き付け、ガリウム窒化物（GaN）のベースの発光ダイオード（LEDs）および半導体レーザー（LDs）のための基質材料としてより適している。クリー語からのデータは炭化ケイ素の使用が基質LED装置50,000時間までの70%ライト維持率の生命を達成できることを示す。LEDの基質としてSiCの利点:

* SiCおよびGaNのエピタキシアルの格子定数は層一致し、化学特徴は互換性がある;

* SiCにGaNのエピタキシアル層の熱拡張係数の近くの優秀な熱伝導性（高の10倍以上サファイアの）がおよびある;

* SiCは縦の構造装置を作るのに使用することができる伝導性の半導体である。2つの電極は表面で配られ、装置の底、サファイアの基質の横の構造によって引き起こされるさまざまな欠点を解決できる;

* SiCは軽い抽出の効率を改善する現在の拡散の層の材料によって現在の拡散の層、ライトを吸収されない要求しない。