模造の研究2のインチ6H-Semiの炭化ケイ素のウエファー
型式番号:6H-semi
原産地:中国
最低順序量:5pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1-50pcs/month
受渡し時間:1-6weeks
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Shanghai Shanghai China
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細
会社概要
製品詳細
2INCH 6H-semiの炭化ケイ素sicのウエファー330umの模造の研究の等級
Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch
6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia
150mmの炭化ケイ素の単結晶（sic）の基質wafersS/Customziedようにカットのsicのウエファー
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。
1. 記述
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 |
高い純度4inchの直径の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
| 2inch直径の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定 | ||||||||||
| 等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | ||||||
| 直径 | 50.8 mm±0.2mm | |||||||||
| 厚さ | 330 μm±25μm | |||||||||
| ウエファーのオリエンテーション | 軸線を離れて:軸線の <1120> 4H-N/4H-SIのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SIのための±0.5° | |||||||||
| Micropipe密度 | ≤2 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||||
| 抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| 第一次平たい箱 | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| 第一次平らな長さ | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平らな長さ | 10.0mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | |||||||||
| 端の排除 | 1つのmm | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| 荒さ | ポーランドRa≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | |||||||
| 高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | |||||||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | |||||||
| 高輝度ライトによる傷 | 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | |||||||
| 端の破片 | どれも | 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | |||||||
6H-N
6H-Semi
カタログ 共通のサイズ
4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット 2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット | 2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー |
6H NタイプSiCのウエファー 2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット | 2-6inchのためのCustomziedのサイズ |
FAQ
1. あなた商事会社または製造業者はであるか。
:私達は貿易会社であるが、サファイアおよびsicのウエファーの焦点である自身の工場がある。
2。どこにいるか。私は訪問してもいいか。
:本当に、あなたにいつでも訪問する私達の工場を歓迎しなさい。
受渡し時間についての3.Howか。
:私達が条件確認したWithin3-8幾日後。
4.どのような支払あなたの会社をサポートはするか。
:他の支払があればT/T、一覧で100% L/Cは、現金、ウェスタン・ユニオンすべて、連絡する私達に受け入れられる。
模造の研究2のインチ6H-Semiの炭化ケイ素のウエファー
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