AP2322GNの論理ICS 0.833W 10A MOSFETの電源スイッチ
型式番号:AP2322GN
原産地:中国
最低順序量:交渉可能
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:10,000/Month
受渡し時間:4~5週
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正会員
Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
このプロダクトは静電放電に敏感、注意して扱うである。
このプロダクトは他の同じようなシステムの重大な部品として使用されるために承認されない。
APECは適用から起こるあらゆる責任のために責任を負うべきではないまたはプロダクトまたは回路の使用はこの一致で記述した、特許権の下で免許証を割り当てるか、または他の権利を割り当てる。
APECは信頼性、機能または設計を改善するこの一致のあらゆるプロダクトへの変更を予告なしに行なう権利を確保する。
記述
高度力のMOSFETsは有効な最も低く可能なオン抵抗、非常におよび費用効果装置を達成するのに高度の加工の技巧を利用した。
SOT-23Sのパッケージは商業産業表面の台紙の塗布のために広く好まれ、DC/DCのコンバーターのような低電圧の適用に適する。
絶対最高のRatings@Tj =25oC （他に特に規定がなければ）
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDS | 下水管源の電圧 | 20 | V |
| VGS | ゲート源の電圧 | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | 流れ3、VGS @ 4.5Vを流出させなさい | 2.5 | |
| ID@TA =70℃ | 流れ3、VGS @ 4.5Vを流出させなさい | 2.0 | |
| IDM | 脈打った下水管の流れ1 | 10 | |
| PD@TA =25℃ | 全体の電力損失 | 0.833 | W |
| TSTG | 保管温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
| TJ | 作動の接合部温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
熱データ
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| Rthj-a | 最高の熱抵抗、接続点包囲された3 | 150 | ℃/W |
AP2322G
電気Characteristics@Tj =25oC （他に特に規定がなければ）
| 記号 | 変数 | テスト条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
| BVDSS | 下水管源の絶縁破壊電圧 | VGS =0V、ID =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS （） | 静的な下水管源のオン抵抗2 | VGS =4.5V、ID =1.6A | - | - | 90 | mΩ |
| VGS =2.5V、ID =1A | - | - | 120 | mΩ | ||
| VGS =1.8V、ID =0.3A | - | - | 150 | mΩ | ||
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | VDS =VGS、ID =1MA | 0.25 | - | 1 | V |
| gfs | 前方相互コンダクタンス | VDS =5V、ID =2A | - | 2 | - | S |
| IDSS | 下水管源の漏出流れ | VDS =20V、VGS =0V | - | - | 1 | uA |
| IGSS | ゲート源の漏出 | VGS =+8V、VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | 総ゲート充満 | ID =2.2A VDS =16V VGS =4.5V | - | 7 | 11 | NC |
| Qgs | ゲート源充満 | - | 0.7 | - | NC | |
| Qgd | ゲート下水管（「ミラー」）充満 | - | 2.5 | - | NC | |
| td （） | Turn-on遅れ時間 | VDS =10V ID =1A RG =3.3Ω VGS =5V | - | 6 | - | ns |
| tr | 上昇時間 | - | 12 | - | ns | |
| td （） | Turn-off遅れ時間 | - | 16 | - | ns | |
| tf | 落下時間 | - | 4 | - | ns | |
| Ciss | 入れられたキャパシタンス | V.GS=0V VDS =20V f=1.0MHz | - | 350 | 560 | pF |
| Coss | 出力キャパシタンス | - | 55 | - | pF | |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | - | 48 | - | pF | |
| Rg | ゲートの抵抗 | f=1.0MHz | - | 3.2 | 4.8 | Ω |
源下水管のダイオード
| 記号 | 変数 | テスト条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
| VSD | 電圧2で進めなさい | =0.7A、VGS =0Vはある | - | - | 1.2 | V |
| trr | 逆の回復時間 | =2A、VGS =0Vはある、 dI/dt=100A/µs | - | 20 | - | ns |
| Qrr | 逆の回復充満 | - | 13 | - | NC |
注:
最高によって限られる1.Pulse幅。接合部温度。
2.Pulseテスト
3.SurfaceはFR4板の2銅のパッドに1に、t 10sec<>取付けた;Min.の銅のパッドに取付けられた場合360 ℃/W。
AP2322GNの論理ICS 0.833W 10A MOSFETの電源スイッチ
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