TIP112電界効果トランジスタ、高周波トランジスター

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターTIP112ダーリントン トランジスター(NPN)を

 

 

特徴
  • 高いDCの現在の利益:hFE=1000 @ VCE=4V、IC=1A (最少)
  • 低いコレクター エミッターの飽和電圧
  • 産業使用
 

最高の評価(通知がなければTa=25℃)

 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧100V
VCEOコレクター エミッターの電圧100V
VEBOエミッター基盤の電圧5V
IC連続的なコレクター流れ-2A
PCコレクターの電力損失2W
TJ接合部温度150
Tstg保管温度-55から+150

 

 

 

電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)

 

 

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC=10mA、すなわち=0100  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC=30mA、IB=0 (SU)100  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち=10MA、IC=05  V
コレクタ遮断電流ICEOVCE=50V、IB=0  2mA
コレクタ遮断電流ICBOVCB=100V、すなわち=0  1mA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB=5V、IC=0  2mA

 

DCの現在の利益

hFE (1)VCE=4V、IC=1A1000 12000 
hFE (2)VCE=4V、IC=2A500   
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC=2A、IB=8mA  2.5V
基盤エミッターの電圧VBEVCE=4V、IC=2A  2.8V
コレクターの出力キャパシタンス穂軸VCB=10V、すなわち=0、f=0.1MHz  100pF

 

 

 

TO-220-3Lのパッケージの輪郭次元

 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A4.4704.6700.1760.184
A12.5202.8200.0990.111
b0.7100.9100.0280.036
b11.1701.3700.0460.054
c0.3100.5300.0120.021
c11.1701.3700.0460.054
D10.01010.3100.3940.406
E8.5008.9000.3350.350
E112.06012.4600.4750.491
e2.540 TYP0.100 TYP
e14.9805.1800.1960.204
F2.5902.8900.1020.114
h0.0000.3000.0000.012
L13.40013.8000.5280.543
L13.5603.9600.1400.156
Φ3.7353.9350.1470.155

 

 

 

 


 

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