TIP32/32A/32B/32Cの高周波半導体の三極管のコレクターの電力損失2W

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
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製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-220-3Lはトランジスターをプラスチック内部に閉じ込めます

 

 

TIP32/32A/32B/32C

 

 

特徴
 
中型力の線形切換えの適用
 
 

最高の評価(通知がなければTa =25℃)

記号変数TIP31TIP31ATIP31BTIP31C単位
VCBOコレクター基盤の電圧406080100V
VCEOコレクター エミッターの電圧406080100V
VEBOエミッター基盤の電圧5V
ICコレクター流れ3A
PCコレクターの電力損失2W
RθJA接続点からの包囲されたへの熱抵抗62.5 
Tj接合部温度150
Tstg保管温度-55~+150

 

 

指定される他の賢い電気特徴(Ta =25℃)

変数記号テスト条件Mの斧単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= 1mA、すなわち=0

40

60

80

100

 

 

 

V

コレクター エミッターの絶縁破壊電圧*TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

VCEO (SU)

 

 

IC= 30mA、IB=0

40

60

80

100

 

 

 

V

エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち= 1mA、IC=05 V
コレクタ遮断電流

TIP31 TIP31A TIP31B

TIP31C

 

 

ICBO

VCB=40V、すなわち=0 VCB=60V、すなわち=0 VCB=80V、すなわち=0 VCB=100V、すなわち=0 

 

 

200

 

 

μA

コレクタ遮断電流TIP31/31A TIP31B/31CICEOVCE= 30V、IB= 0ボルトCE= 60V、IB= 0 

 

0.3

 

mA

エミッターの締切りの流れIEBOVEB=5V、IC=0 1mA

 

DCの現在の利益

hFE (1)VCE= 4V、IC= 1A25  
hFE (2)VCE=4 V、IC= 3A1575 
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC=3A、IB=0.375A 1.2V
基盤エミッターの電圧VBE ()VCE= 4V、IC=3A 1.8V
転移の頻度fTVCE=10V、IC=0.5A3 MHz

 

 

*脈拍テスト:PW≤300µsの義務Cycle≤2%。

 

 

 

典型的な特徴TIP31/31A/31B/31C

 

 

 

 

 

 

 

TO-126パッケージの輪郭次元

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A4.4704.6700.1760.184
A12.5202.8200.0990.111
b0.7100.9100.0280.036
b11.1701.3700.0460.054
c0.3100.5300.0120.021
c11.1701.3700.0460.054
D10.01010.3100.3940.406
E8.5008.9000.3350.350
E112.06012.4600.4750.491
e2.540 TYP0.100 TYP
e14.9805.1800.1960.204
F2.5902.8900.1020.114
h0.0000.3000.0000.012
L13.40013.8000.5280.543
L13.5603.9600.1400.156
Φ3.7353.9350.1470.155

 

 


 

 

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