TIP122 TIP127の半導体の三極管TO-126のプラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
TO-126はトランジスターをプラスチック内部に閉じ込めます
TIP122ダーリントンのトランジスター（NPN）
TIP127ダーリントンのトランジスター（PNP）
特徴
中型力の補足のケイ素のトランジスター
TO-126
1. エミッター
2. コレクター
3. 基盤
印が付いていること
TIP122のTIP127=Deviceコード
固体混合装置を、どれも形成する、点=緑正常な装置XX=Code
同等の回路
発注情報
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| TIP122 | TO-126 | 大きさ | 200pcs/Bag |
| TIP127 | TO-126 | 大きさ | 200pcs/Bag |
| TIP122-TU | TO-126 | 管 | 60pcs/Tube |
| TIP127-TU | TO-126 | 管 | 60pcs/Tube |
最高の評価（通知がなければTa =25℃）
| 記号 | 変数 | TIP122 | TIP127 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 100 | -100 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 100 | -100 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 5 | -5 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 5 | -5 | A |
| PC * | コレクターの電力損失 | 1.25 | W | |
| RθJA | 包囲されたへの熱抵抗の接続点 | 100 | ℃/W | |
| RθJc | 場合への熱抵抗接続点 | 8.33 | ℃/W | |
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ | |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ | |
電気特徴
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| TIP122 NPN | |||||
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=1mA、すなわち=0 | 100 | V | |
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | VCEO （SU） | IC=30mA、IB=0 | 100 | V | |
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=100V、すなわち=0 | 0.2 | mA | |
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=50 V、IB=0 | 0.5 | mA | |
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=5 V、IC=0 | 2 | mA | |
DCの現在の利益 | hFE （1） | VCE= 3V、IC=0.5A | 1000 | ||
| hFE （2） | VCE= 3V、IC=3 A | 1000 | 12000 | ||
コレクター エミッターの飽和電圧 |
Vセリウム（坐る） | IC=3A、IB=12mA | 2 |
V | |
| IC=5 A、IB=20mA | 4 | ||||
| 基盤エミッターの電圧 | VBE | VCE=3V、IC=3 A | 2.5 | V | |
| 出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=10V、すなわち=0、f=0.1MHz | 200 | pF | |
| TIP127 PNP | |||||
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=-1mA、すなわち=0 | -100 | V | |
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | VCEO （SU） | IC=-30mA、IB=0 | -100 | V | |
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=-100V、すなわち=0 | -0.2 | mA | |
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=-50 V、IB=0 | -0.5 | mA | |
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-5 V、IC=0 | -2 | mA | |
DCの現在の利益 | hFE （1） | VCE=-3V、IC=-0.5A | 1000 | ||
| hFE （2） | VCE=-3V、IC=-3A | 1000 | 12000 | ||
コレクター エミッターの飽和電圧 |
Vセリウム（坐る） | IC=-3A、IB=-12mA | -2 |
V | |
| IC=-5 A、IB=-20mA | -4 | ||||
| 基盤エミッターの電圧 | VBE | VCE=-3V、IC=-3 A | -2.5 | V | |
| 出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=-10V、すなわち=0、f=0.1MHz | 300 | pF | |
*このテストはTa=25℃の脱熱器無しで行われます。
典型的な特徴
TO-126パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 2.500 | 2.900 | 0.098 | 0.114 |
| A1 | 1.100 | 1.500 | 0.043 | 0.059 |
| b | 0.660 | 0.860 | 0.026 | 0.034 |
| b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
| c | 0.450 | 0.600 | 0.018 | 0.024 |
| D | 7.400 | 7.800 | 0.291 | 0.307 |
| E | 10.600 | 11.000 | 0.417 | 0.433 |
| e | 2.290 TYP | 0.090 TYP | ||
| e1 | 4.480 | 4.680 | 0.176 | 0.184 |
| h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
| L | 15.300 | 15.700 | 0.602 | 0.618 |
| L1 | 2.100 | 2.300 | 0.083 | 0.091 |
| P | 3.900 | 4.100 | 0.154 | 0.161 |
| Φ | 3.000 | 3.200 | 0.118 | 0.126 |
TIP122 TIP127の半導体の三極管TO-126のプラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター
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