AlphaSGT HXY4266 Mosの電界効果トランジスタ60vの論理のレベルのゲート ドライブ
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
60V NチャネルAlphaSGT HXY4266
プロダクト概要
| VDS | 60V |
| ID （VGS=10Vで） | 11A |
| RDS （） （VGS=10Vで） | < 13=""> |
| RDS （） （VGS=4.5Vで） | < 18m=""> |
概説
•低いRDS （）
•論理の水平なゲート ドライブ
•優秀なゲート充満X RDS （）プロダクト（FOM）
•RoHSおよびハロゲンなしの迎合的
適用
•高周波切換えおよび同期改正
電気特徴（通知がなければT =25°C）
A.RのθJAの価値は2ozの1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定されます。TA =25°C.の静かな空気環境で、銅張りにして下さい
ある特定の適用の価値はユーザーの特定の板設計によって決まります。
B.電力損失PDはTJ（MAX）に≤ 10sの接続点に包囲された熱抵抗を使用して=150°C、基づいています。
C.反復的な評価、接合部温度TJ（MAX） =150°C.の評価によって限られる低頻度および使用率に保つために脈拍幅は基づいています
initialT =25°C。
D.RのθJAはRのθJLを導き、包囲されたに導くべき接続点からの熱インピーダンスの合計です。
E.図1に6の静特性はを使用して得られます <300>
F.これらのカーブは1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定される接続点に包囲された熱インピーダンスに基づいています
2oz.、TJ（MAX）の最高の接合部温度が=150°C. SOAのカーブ単一の脈拍の評価を提供することを仮定します銅張りにしま。
G.最高スパイクの使用率5% =125°C.接合部温度TJ （MAX）によって限られた。
典型的な電気および熱特徴
AlphaSGT HXY4266 Mosの電界効果トランジスタ60vの論理のレベルのゲート ドライブ
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