MMBD1501Aは高い導電率スイッチング・ダイオードの低い漏出ダイオードの二倍になります
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
MMBD1501Aの低い漏出ダイオードSOT-23はダイオードをプラスチック内部に閉じ込めます
特徴
- 低い漏出
- 高い導電率
最高の評価（通知がなければT =25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VR | DCの妨害電圧 | 200 | V |
| IO | 連続的な前方流れ | 200 | mA |
| IFM | ピーク前方流れ | 700 | mA |
| IFSM | 非反復ピーク前方サージ電流@t=8.3ms | 2.0 | A |
| PD | 電力損失 | 350 | MW |
| RθJA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 357 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴（T =25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| 逆電圧 | V （BR） | IR=5μA | 200 | V | ||
| 逆の流れ | IR | VR=180V | 10 | nA | ||
前方電圧 |
VF | IF=1mA | 0.75 |
V | ||
| IF=10mA | 0.85 | |||||
| IF=50mA | 0.95 | |||||
| IF=100mA | 1.1 | |||||
| IF=200mA | 1.3 | |||||
| IF=300mA | 1.5 | |||||
| 総キャパシタンス | Ctot | VR=0V、f=1MHz | 4 | pF |
SOT-23パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
| A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
| A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
| b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| c | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
| D | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
| E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
| E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
| e | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
| L | 0.550 REF | 0.022 REF | ||
| L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
MMBD1501Aは高い導電率スイッチング・ダイオードの低い漏出ダイオードの二倍になります
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