MMBD1501Aは高い導電率スイッチング・ダイオードの低い漏出ダイオードの二倍になります

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

MMBD1501Aの低い漏出ダイオードSOT-23はダイオードをプラスチック内部に閉じ込めます

 

特徴

 

  • 低い漏出
  • 高い導電率

 

最高の評価(通知がなければT =25℃)

記号変数価値単位
VRDCの妨害電圧200V
IO連続的な前方流れ200mA
IFMピーク前方流れ700mA
IFSM非反復ピーク前方サージ電流@t=8.3ms2.0A
PD電力損失350MW
RθJA接続点からの包囲されたへの熱抵抗357℃/W
Tj接合部温度150
Tstg保管温度-55~+150

 

電気特徴(T =25℃他に特に規定がなければ)

 

変数記号テスト条件Typ最高単位
逆電圧V (BR)IR=5μA200  V
逆の流れIRVR=180V  10nA

 

 

 

前方電圧

 

 

 

VF

IF=1mA  0.75

 

 

 

V

IF=10mA  0.85
IF=50mA  0.95
IF=100mA  1.1
IF=200mA  1.3
IF=300mA  1.5
総キャパシタンスCtotVR=0V、f=1MHz  4pF

 

 


SOT-23パッケージの輪郭次元

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A0.9001.1500.0350.045
A10.0000.1000.0000.004
A20.9001.0500.0350.041
b0.3000.5000.0120.020
c0.0800.1500.0030.006
D2.8003.0000.1100.118
E1.2001.4000.0470.055
E12.2502.5500.0890.100
e0.950 TYP0.037 TYP
e11.8002.0000.0710.079
L0.550 REF0.022 REF
L10.3000.5000.0120.020
θ

 

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MMBD1501Aは高い導電率スイッチング・ダイオードの低い漏出ダイオードの二倍になります

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