B772高圧NPNのスイッチング・トランジスタのエミッターの基礎電圧-5V
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターB772トランジスター（NPN）を
特徴
低速切換え
印が付いていること:B772
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -40 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -30 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | -3 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 0.5 | W |
| RӨJA | 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | 250 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~150 | ℃ |
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=-100μA、すなわち=0 | -40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC= -10MA、IB=0 | -30 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= -100ΜA、IC=0 | -6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= -40V、すなわち=0 | -1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=-30V、IB=0 | -10 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-6V、IC=0 | -1 | μA | ||
| DCの現在の利益 | hFE | VCE= -2V、IC= -1A | 60 | 400 | ||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=-2A、IB= -0.2A | -0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=-2A、IB= -0.2A | -1.5 | V | ||
転移の頻度 |
fT | VCE= -5V、IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
MHz |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 1.400 | 1.600 | 0.055 | 0.063 |
| b | 0.320 | 0.520 | 0.013 | 0.020 |
| b1 | 0.400 | 0.580 | 0.016 | 0.023 |
| c | 0.350 | 0.440 | 0.014 | 0.017 |
| D | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
| D1 | 1.550参考。 | 0.061参考。 | ||
| E | 2.300 | 2.600 | 0.091 | 0.102 |
| E1 | 3.940 | 4.250 | 0.155 | 0.167 |
| e | 1.500 TYP。 | 0.060 TYP。 | ||
| e1 | 3.000 TYP。 | 0.118 TYP。 | ||
| L | 0.900 | 1.200 | 0.035 | 0.047 |
hFEの分類
| ランク | R | O | Y | GR |
| 範囲 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
典型的な特徴
B772高圧NPNのスイッチング・トランジスタのエミッターの基礎電圧-5V
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