D882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30v

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-126はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターD882トランジスター(NPN)を

 

 

特徴
 


電力損失

 

 

 

印が付いていること

 

D882=Deviceコード

固体混合装置を、どれも形成する、点=緑正常な装置XX=Code

 

 

 

 

発注情報

部品番号パッケージパッキング方法パックの量
D882TO-126大きさ200pcs/Bag
D882-TUTO-12660pcs/Tube

 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)
 

 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧40V
VCEOコレクター エミッターの電圧30V
VEBOエミッター基盤の電圧6V
IC連続的なコレクター流れ-3A
PCコレクターの電力損失1.25W
TJ接合部温度150
Tstg保管温度-55-150

 
 
 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC = 100μA、すなわち=040  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC = 10mA、IB=030  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち= 100μA、IC=06  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB= 40 V、すなわち=0  1µA
コレクタ遮断電流ICEOVCE= 30 V、IB=0  10µA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB= 6 V、IC=0  1µA
DCの現在の利益hFEVCE= 2 V、IC= 1A60 400 
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC= 2A、IB= 0.2 A  0.5V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC= 2A、IB= 0.2 A  1.5V

 

転移の頻度

 

fT

VCE= 5V、IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランクROYGR
範囲60-120100-200160-320200-400

 

 

 


典型的な特徴

 

 
 
 

 パッケージの輪郭次元
 

 

記号ミリメートルの次元インチの次元
最高最高
A2.5002.9000.0980.114
A11.1001.5000.0430.059
b0.6600.8600.0260.034
b11.1701.3700.0460.054
c0.4500.6000.0180.024
D7.4007.8000.2910.307
E10.60011.0000.4170.433
e2.290 TYP0.090 TYP
e14.4804.6800.1760.184
h0.0000.3000.0000.012
L15.30015.7000.6020.618
L12.1002.3000.0830.091
P3.9004.1000.1540.161
Φ3.0003.2000.1180.126

 
 

 
 

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D882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30v

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