D882S NPNの先端力トランジスターTO-92プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターD882Sトランジスター(NPN)を

 

特徴

 

電力損失

 

 

印が付いていること

D882=Deviceコード

固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green

hFEのZ=Rank、XXX=Code

 

 

 

 

発注情報

部品番号パッケージパッキング方法パックの量
D882STO-92大きさ1000pcs/Bag
D882S-TATO-92テープ2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

記号パラグラフのメートル価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧40V
VCEOコレクター エミッターの電圧30V
VEBOエミッター基盤の電圧6V
IC連続的なコレクター流れ-3A
PDコレクターの電力損失625MW
R0 JA上昇温暖気流は包囲されたにance f romの接続点に抵抗します200Š/W
Tj接合部温度150Š
TstgStのorageの温度-55 ~+150Š

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

 

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC = 100µA、すなわち=040  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC = 10mA、IB=030  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち= 100µA、IC=06  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB= 40V、すなわち=0  1μA
コレクタ遮断電流ICEOVCE= 30V、IB=0  10μA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB= 6V、IC=0  1μA
DCの現在の利益hFEVCE=2V、IC= 1A60 400 
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC= 2A、IB= 0.2 A  0.5V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC= 2A、IB= 0.2 A  1.5V
転移の頻度

 

fT

VCE= 5V、Ic=0.1A

f =10MHz

 

50

80 

 

MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランクROYGR
範囲60-120100-200160-320200-400

 

 

 

 

典型的な特徴

 

 

 

 

 

 

 

 

 パッケージの輪郭次元
 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A3.3003.7000.1300.146
A11.1001.4000.0430.055
b0.3800.5500.0150.022
c0.3600.5100.0140.020
D4.3004.7000.1690.185
D13.430 0.135 
E4.3004.7000.1690.185
e1.270 TYP0.050 TYP
e12.4402.6400.0960.104
L14.10014.5000.5550.571
0 1.600 0.063
h0.0000.3800.0000.015

 

 

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D882S NPNの先端力トランジスターTO-92プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター

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