3DD13003 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧400V

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13003トランジスター(NPN)を

 

特徴
 

·力の切換えの適用

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧700V
VCEOコレクター エミッターの電圧400V
VEBOエミッター基盤の電圧9V
IC連続的なコレクター流れ-1.5A
PCコレクターの電力損失2W
TJ接合部温度150
Tstg保管温度-55~150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

変数

記号

Sのymbol

テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC =5MA、すなわち=0700  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC=10mA、IB=0400  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち=2MA、IC=09  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB=700V、すなわち=0  1mA
コレクタ遮断電流ICEOVCE=400V、IB=0  0.5mA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB=9V、IC=0  1mA

 

DCの現在の利益

hFE1VCE=5V、IC= 0.5 A8 40 
 hFE2VCE=5V、IC= 1.5A5   
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC=1A、IB=0.25A  0.6V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC=1A、IB=0.25A  1.2V
転移の頻度fTVCE=10V、Ic=100mA、f =1MHz5  MHz
落下時間tfIC=1A、IB1=-IB2=0.2A、VCC=100V  0.5µs
貯蔵時間TSIC=250mA (UI9600)2 4μs

 

 

hFE1の分類

範囲8-1010-1515-2020-2525-3030-3535-40

 

TSの分類

 

ランクA1A2B1B2
範囲2-2.5 (μs)2.5-3 (μs)3-3.5 (μs)3.5-4 (μs 

 
 

 

TO-92パッケージの輪郭次元

 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A4.4704.6700.1760.184
A12.5202.8200.0990.111
b0.7100.9100.0280.036
b11.1701.3700.0460.054
c0.3100.5300.0120.021
c11.1701.3700.0460.054
D10.01010.3100.3940.406
E8.5008.9000.3350.350
E112.06012.4600.4750.491
e2.540 TYP0.100 TYP
e14.9805.1800.1960.204
F2.5902.8900.1020.114
h0.0000.3000.0000.012
L13.40013.8000.5280.543
L13.5603.9600.1400.156
Φ3.7353.9350.1470.155

 

 

 

 

China 3DD13003 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧400V supplier

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