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TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13003トランジスター(NPN)を
力の切換えの適用
最高の評価(通知がなければT =25 Š)
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
VCBO | コレクター基盤の電圧 | 700 | V |
VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 400 | V |
VEBO | エミッター基盤の電圧 | 9 | V |
IC | 連続的なコレクター流れ- | 1.5 | A |
PC | コレクターの消滅 | 1.25 | W |
TJ、Tstg | 接続点および保管温度 | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) CBO | Ic= 1mA、IE=0 | 700 | V | ||
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V (BR) CEO | Ic= 10 mA、IB=0 | 400 | V | ||
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) EBO | すなわち= 1mA、IC=0 | 9 | V | ||
コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= 700V、すなわち=0 | 1 | mA | ||
コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE= 400V、IB=0 | 0.5 | mA | ||
エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 9 V、IC=0 | 1 | mA | ||
DCの現在の利益 | hFE (1) | VCE= 5 V、IC= 0.5 A | 8 | 40 | ||
hFE (2) | VCE= 5 V、IC= 1.5A | 5 | ||||
コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE (坐る) | IC=1A、IB= 250 mA | 0.6 | V | ||
基盤エミッターの飽和電圧 | VBE (坐る) | IC=1A、IB= 250mA | 1.2 | V | ||
基盤エミッターの電圧 | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
転移の頻度 |
fT | VCE=10V、Ic=100mA f =1MHz |
5 |
MHz | ||
落下時間 | tf | IC=1A、IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0.5 | µs | ||
貯蔵時間 | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
hFE1の分類
ランク | |||||||
範囲 | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
TSの分類
ランク | A1 | A2 | B1 | B2 |
範囲 | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
典型的な特徴
TO-92パッケージの輪郭次元
記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
最少。 | 最高。 | 最少。 | 最高。 | |
A | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
A1 | 1.050 | 1.350 | 0.042 | 0.054 |
B | 1.350 | 1.650 | 0.053 | 0.065 |
b | 0.500 | 0.700 | 0.020 | 0.028 |
b1 | 0.700 | 0.900 | 0.028 | 0.035 |
c | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
c1 | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
D | 6.350 | 6.650 | 0.250 | 0.262 |
D1 | 5.200 | 5.400 | 0.205 | 0.213 |
E | 5.400 | 5.700 | 0.213 | 0.224 |
e | 2.300 TYP。 | 0.091 TYP。 | ||
e1 | 4.500 | 4.700 | 0.177 | 0.185 |
L | 7.500 | 7.900 | 0.295 | 0.311 |