3DD13003 NPNのトランジスター スイッチ、先端シリーズ トランジスター1.25Wコレクターの消滅

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13003トランジスター(NPN)を

 

特徴
 

力の切換えの適用

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧700V
VCEOコレクター エミッターの電圧400V
VEBOエミッター基盤の電圧9V
IC連続的なコレクター流れ-1.5A
PCコレクターの消滅1.25W
TJ、Tstg接続点および保管温度-55~+150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIc= 1mA、IE=0700  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIc= 10 mA、IB=0400  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち= 1mA、IC=09  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB= 700V、すなわち=0  1mA
コレクタ遮断電流ICEOVCE= 400V、IB=0  0.5mA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB= 9 V、IC=0  1mA

 

DCの現在の利益

hFE (1)VCE= 5 V、IC= 0.5 A8 40 
 hFE (2)VCE= 5 V、IC= 1.5A5   
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC=1A、IB= 250 mA  0.6V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC=1A、IB= 250mA  1.2V
基盤エミッターの電圧VBEIE= 2A  3V

 

転移の頻度

 

fT

VCE=10V、Ic=100mA

f =1MHz

 

5

  

 

MHz

落下時間tfIC=1A、IB1=-IB2=0.2A VCC=100V  0.5µs
貯蔵時間tsIC=250mA2 4µs

 

 

hFE1の分類

ランク       
範囲8-1010-1515-2020-2525-3030-3535-40

 

 

TSの分類

 

ランクA1A2B1B2
範囲2-2.5 (μs)2.5-3 (μs)3-3.5 (μs)3.5-4 (μs)
     

 


典型的な特徴

 

 
 

 

TO-92パッケージの輪郭次元

 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最少。最高。最少。最高。
A2.2002.4000.0870.094
A11.0501.3500.0420.054
B1.3501.6500.0530.065
b0.5000.7000.0200.028
b10.7000.9000.0280.035
c0.4300.5800.0170.023
c10.4300.5800.0170.023
D6.3506.6500.2500.262
D15.2005.4000.2050.213
E5.4005.7000.2130.224
e2.300 TYP。0.091 TYP。
e14.5004.7000.1770.185
L7.5007.9000.2950.311

 

 

 

 

 

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3DD13003 NPNのトランジスター スイッチ、先端シリーズ トランジスター1.25Wコレクターの消滅

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