電子部品VCBO 180Vのための2N5551先端力トランジスター

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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正会員
Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター2N5551トランジスター(NPN)を

 

 

特徴
 

Ÿの一般目的の切換えの適用

 

 

印が付いていること

 

2N5551=Deviceコード

固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green

hFEのZ=Rank

 

 

 

発注情報

部品番号パッキング方法パックの量
2N5551大きさ1000pcs/Bag
2N5551-TAテープ2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧180V
VCEOコレクター エミッターの電圧160V
VEBOエミッター基盤の電圧6V
ICコレクター流れ0.6A
PCコレクターの電力損失625MW
R0 JA接続点からの包囲されたへの熱抵抗200Š /W
Tj接合部温度150Š
Tstg保管温度-55~+150Š

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

 

 

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC=100μA、すなわち=0180  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEO*IC=1mA、IB=0160  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち=10ΜA、IC=06  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB=120V、すなわち=0  50nA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB=4V、IC=0  50nA

 

DCの現在の利益

hFE (1)VCE=5V、IC=1mA80   
 hFE (2)VCE=5V、IC=10mA100 300 
 hFE (3)VCE=5V、IC=50mA50   
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る) ˄1˅IC=10mA、IB=1mA  0.15V
 VCE (坐る) ˄2˅IC=50mA、IB=5mA  0.2V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る) ˄1˅IC=10mA、IB=1mA  1V
 VBE (坐る) ˄2˅IC=50mA、IB=5mA  1V
コレクターの出力キャパシタンス穂軸VCB=10V、すなわち=0、f=1MHz  6pF
エミッターの入力キャパシタンスCibVBE=0.5V、IC=0、f=1MHz  20pF
転移の頻度fTVCE=10V、IC=10mA、f=100MHz100 300MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランクABC
範囲100-150150-200200-300

 

 

 

 

典型的な特徴

 


 

 

 

 

 


 
 

 パッケージの輪郭次元
 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A3.3003.7000.1300.146
A11.1001.4000.0430.055
b0.3800.5500.0150.022
c0.3600.5100.0140.020
D4.3004.7000.1690.185
D13.430 0.135 
E4.3004.7000.1690.185
e1.270 TYP0.050 TYP
e12.4402.6400.0960.104
L14.10014.5000.5550.571
0 1.600 0.063
h0.0000.3800.0000.015

 

 

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