3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13002Bトランジスター(NPN)を

 

特徴
 

力の切換えの適用

 

 

印が付いていること

13002B=Deviceコード

固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green

XXX=Code

 

 

 

発注情報

部品番号パッケージパッキング方法パックの量
3DD13002BTO-92大きさ1000pcs/Bag
3DD13002B-TATO-92テープ2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧600V
VCEOコレクター エミッターの電圧400V
VEBOエミッター基盤の電圧6V
IC連続的なコレクター流れ-0.8A
PCコレクターの電力損失0.9W
TJ接合部温度150
Tstg保管温度-55 | 150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

 


変数

記号テスト条件Typ最高

 


単位

コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC=100μA、すなわち=0600  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC=1mA、IB=0400  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち= 100μA、IC=06  V

 

コレクタ遮断電流

ICBOVCB= 600V、すなわち=0  100µA
 ICEOVCE= 400V、IB=0  100µA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB= 6 V、IC=0  100µA

 

Dc cのurrent利益

hFE1VCE= 10 V、IC=200mA9 40 
 hFE2VCE= 10 V、IC=0.25mA5   
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC=200mA、IB=40mA  0.5V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC=200mA、IB=40mA  1.1V

 

転移の頻度

 

fT

VCE=10V、IC=100mA

f =1MHz

 

5

  

 

MHz

落下時間tf

 

IC=1A、IB1=-IB2=0.2A VCC=100V

  0.5µs
貯蔵時間ts   2.5µs

 
  

hFE(2)の分類

範囲9-1515-2020-2525-3030-3535-40

 

 

 

典型的な特徴

 

TO-92パッケージの輪郭次元

 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A3.3003.7000.1300.146
A11.1001.4000.0430.055
b0.3800.5500.0150.022
c0.3600.5100.0140.020
D4.3004.7000.1690.185
D13.430 0.135 
E4.3004.7000.1690.185
e1.270 TYP0.050 TYP
e12.4402.6400.0960.104
L14.10014.5000.5550.571
Φ 1.600 0.063
h0.0000.3800.0000.015

 

China 3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧 supplier

3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧

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