D965 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター高性能 

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターD965トランジスター(NPN)を

 

 

特徴

Ÿのオーディオ・アンプ

カメラのŸのフラッシュの単位

Ÿの切換え回路

 

 

印が付いていること

 

D965=Deviceコード

固体は形成の混合装置をdot=Green、

どれも、正常な装置

hFEのZ=Rank、XXX=Code

 

 

 

発注情報

部品番号パッケージパッキング方法パックの量
D965TO-92大きさ1000pcs/Bag
D965-TATO-92テープ2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号パラグラフのメートル価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧42V
VCEOコレクター エミッターの電圧22V
VEBOエミッター基盤の電圧6V
IC連続的なコレクター流れ-5A
PDコレクターの電力損失750MW
R0 JA上昇温暖気流は包囲されたにance f romの接続点に抵抗します166.7Š/W
Tj接合部温度150Š
TstgStのorageの温度-55 ~+150Š

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

 

変数記号テスト条件TYPMAX単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC=0.1mA、すなわち=042  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC=1mA、IB=022  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち= 10µA、IC=06  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB=30V、すなわち=0  0.1µA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB=6V、IC=0  0.1µA

 

DCの現在の利益

hFE (1)VCE=2V、IC= 0.15 mA150   
hFE (2)VCE= 2V、IC = 500 mA340 2000年 
hFE (3)VCE=2V、IC = 2A150   
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC=3000mA、IB=100 mA  0.35V
転移の頻度fTVCE=6V、IC=50mA、f=30MHz 150 MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランクRTV
範囲340-600560-950900-2000

 

 

 

 

典型的な特徴

 

 
 

 パッケージの輪郭次元
 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A3.3003.7000.1300.146
A11.1001.4000.0430.055
b0.3800.5500.0150.022
c0.3600.5100.0140.020
D4.3004.7000.1690.185
D13.430 0.135 
E4.3004.7000.1690.185
e1.270 TYP0.050 TYP
e12.4402.6400.0960.104
L14.10014.5000.5550.571
0 1.600 0.063
h0.0000.3800.0000.015

 

 

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D965 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター高性能 

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