A94 PNPの先端力トランジスターはタイプ切換えのケイ素の半導体の三極管の絶食します

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA94トランジスター(PNP)を

 

 

特徴

 

 高い絶縁破壊電圧

 

 

印が付いていること

A94=Deviceコード

固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green

hFEのZ=Rank

XXX=Code

 

 

 

発注情報

部品番号パッケージパッキング方法パックの量
A94TO-92大きさ1000pcs/Bag
A94-TATO-92テープ2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

記号変数価値単位
VCBOコル島のector基盤の電圧-400V
VCEOコル島のectorエミッターの電圧-400V
VEBOエミッター基盤の電圧-5V
IC連続的なコル島のectorの流れ--0.2A
ICM脈打つコル島のectorの流れ--0.3A
PCコル島のectorの電力損失625MW
RθJA上昇温暖気流は接続点からの包囲されたにanceに抵抗します200℃ /W
TJ接合部温度150
Tstg保管温度-55~+150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

 

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC=-100ΜA、すなわち=0-400  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC=-1mA、IB=0-400  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち=-100ΜA、IC=0-5  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB=-400V、すなわち=0  -0.1μA
コレクタ遮断電流ICEOVCE=-400V、IB=0  -5μA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB=-4V、IC=0  -0.1μA

 

 

DCの現在の利益

hFE (1)VCE=-10V、IC=-10mA80 300 
hFE (2)VCE=-10V、IC=-1mA70   
hFE (3)VCE=-10V、IC=-100mA60   
hFE (4)VCE=-10V、IC=-50mA80   

 

コレクター エミッターの飽和電圧

VCE (坐る) (1)IC=-10mA、IB=-1mA  -0.2V
VCE (坐る) (2)IC=-50mA、IB=-5mA  -0.3V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC=-10mA、IB=-1mA  -0.75V
転移の頻度fTVCE=-20V、IC=-10mA、f=30MHz50  MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランクABC
範囲80-100100-200200-300

 

 

 

 

典型的な特徴

 

 

 

 

 

 パッケージの輪郭次元
 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A3.3003.7000.1300.146
A11.1001.4000.0430.055
b0.3800.5500.0150.022
c0.3600.5100.0140.020
D4.3004.7000.1690.185
D13.430 0.135 
E4.3004.7000.1690.185
e1.270 TYP0.050 TYP
e12.4402.6400.0960.104
L14.10014.5000.5550.571
0 1.600 0.063
h0.0000.3800.0000.015

 

 

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A94 PNPの先端力トランジスターはタイプ切換えのケイ素の半導体の三極管の絶食します

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