WST3078高い現在のトランジスター、電源スイッチのトランジスター高い細胞密度
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
WST3078 N&P CH MOSFET
記述
WST3078は高性能の堀です
極度で高い細胞が付いているN CHおよびP CH MOSFETs
密度、優秀なRDSONを提供し、ゲートで制御する
小さい力の切換えのほとんどのために満たして下さい
スイッチ塗布に荷を積んで下さい。
WST3078大会RoHSおよび緑プロダクト
承認される完全な機能信頼性の条件。
特徴
- 高度の高い細胞密度の堀の技術
- zの極度の低いゲート充満
- z優秀なCdv/dtの効果の低下
- 利用できるzの緑装置
適用
- 高周波ポイントの負荷同期s
- MB/NB/UMPC/VGAのための小さい力の切換え
- ネットワーキングDC-DCのパワー系統
- 負荷スイッチ
絶対最高評価
熱データ
Nチャネルの電気特徴（通知がなければTJ=25 ℃、）
下水管源ボディ ダイオード特徴
注:
1. データは2OZ銅を持つinch2 FR-4板1枚に取付けられた表面によってテストしました。
2. データは、脈拍幅の≦ 300us脈打つによっての使用率の≦ 2%テストしました
3. 電力損失は150℃接合部温度によって限られます
4. データは論理上IDそしてIDMが、実質の適用で全体の電力損失によって、限られるべきである同じです。
Pチャネルの電気特徴（通知がなければTJ=25 ℃、）
下水管源ボディ ダイオード特徴
注:
1. データは1 inch2に取付けられた表面によってテストしました
2OZ銅が付いているFR-4板。
2. データは、脈拍幅の≦ 300us脈打つによっての使用率の≦ 2%テストしました
3.
電力損失は150℃接合部温度4.Theデータによってです論理上IDそしてIDMが、実質の適用で全体の電力損失によって、限られるべきである同じ限られます。
Nチャネルの典型的な特徴
Pチャネルの典型的な特徴
WST3078高い現在のトランジスター、電源スイッチのトランジスター高い細胞密度
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