20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
20G04S 40V N+Pチャネルの強化モードMOSFET
記述
20G04S使用高度の堀
優秀なRDS（）および低いゲート充満を提供する技術。
補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかもしれません
レベルは他のホストのための高い側面スイッチを、移し
適用
概要の特徴
Nチャネル
VDS =40V、ID =20A
RDS（）< 35m=""> GS=10V
RDS（）< 42m=""> GS=4.5V
Pチャネル
VDS =-40V、ID = -18A
RDS（）<40m> GS=-10V
RDS（）< 70m=""> GS=-4.5V
高い発電および現在の渡す機能
無鉛プロダクトは得られます
表面の台紙のパッケージ
適用
●力の切換えの適用
●の懸命に転換された高周波回路
●の無停電電源装置
パッケージの印および発注情報
絶対最高評価（通知がなければTC=25℃）
N-CHの電気特徴（通知がなければTA=25℃）
P-CHの電気特徴（通知がなければTA=25℃）
注:
1. 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。
2. FR4板に、tの≤ 10の秒取付けられる表面。
3. 脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300μsの使用率の≤ 2%。
4. 意図的に、ない生産に応じて保証される
Nチャネルの典型的な特徴
Pチャネルの典型的な特徴
20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET
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