自動実験室の環状炉は化学気相堆積の炉を高めました

型式番号:BR-PECVD

原産地:中国

最低順序量:1 セット

支払の言葉:/ TのL / CのTは、ウェスタンユニオン

供給の能力:1 ヶ月あたりの 200 セット

受渡し時間:7-21 仕事日

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鄭州の兄弟の炉Co.、株式会社

確認済みサプライヤー

Zhengzhou Henan China

住所：建物10、河南国民大学科学技術公園、鄭州、中国。

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 29 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

実験室血しょうは化学気相堆積の炉を1200度まで高めた

理性的なPECVDの紹介:
PECVDシステムは従来のCVDの反作用の温度を減らすように設計されている。それはガスの反応をイオン化するために従来のCVDの前のRFの誘導装置を取付けた従って血しょうは発生する。血しょうの高い活動は反作用である血しょうの高い活動が加速された原因である。従って、このシステムはPECVDと呼ばれる。
このモデルは新製品である、ほとんどの管PECVDシステムの利点を総合し、PECVDシステムの前部の予備加熱の地帯を加えた。テストは沈殿速度がより速いことを、フィルムの質よりよい示した、穴はより少しで、割れない。AISOのフルオートのインテリジェント制御システムは私達の会社によって独自に設計されている、作動することは便利であり、機能はより強力である。
広い適用範囲:メタル・フィルムの、陶磁器のフィルム、合成のフィルム、さまざまなフィルムの連続的な成長。機能を高めること容易血しょうクリーニングの腐食および他の機能を拡大できる

主な特長:

高いフィルムの溶着速度:フィルムの溶着速度を非常に高めるRFの白熱技術は、溶着速度10Å/Sに達することができる
高い区域の均等性:高度の分岐RFの供給の技術、特別なガス道の配分および暖房技術、等は、フィルムの均等性の索引の範囲8%を作る
高い一貫性:半導体工業の高度の設計思想を使用して、1沈殿の基質間の偏差は2%よりより少しである
高いプロセス安定性:非常に安定した装置は連続的な、安定したプロセスを保障する

標準的なスペアー:

管4のPCを差し込むこと
煙管1のPC
真空ポンプ1のPC
真空のシーリングフランジ2のセット
真空ゲージ1のPC
ガス配達及び真空ポンプ
RF血しょう装置

任意スペアー:

クイックリリースのフランジ、三方フランジ
7インチHDの接触scree

血しょうによって高められる化学気相堆積の炉の標準規格:

1. 暖房装置
Max.temperature	1200℃ （1時間）
働く温度	≤1100℃
部屋のサイズ	Φ100*1650mm （管のdiamaterはカスタマイズ可能である）
部屋材料	高い純度のアルミナのファイバー・ボード
熱電対	Kのタイプ
Temperatureaccuracy	±1℃
温度調整	●暖房率、冷却率およびドウェル時間の精密な制御のための50のプログラム可能な区分。 ●過熱する及び壊れた熱電対の壊れた保護のPIDの自動調子機能で造られる。 ●PLCの中PCのコントローラーによる自動制御システム。 ●システムを滑らせる温度調整システムはプログラムによって（時間および間隔）制御できる。
熱する長さ	440mm
一定した熱する長さ	200mm
発熱体	抵抗ワイヤー
電源	単一フェーズ、220V、50Hz
評価される力	9kW
2. RF血しょう源
RFの頻度		13.56 MHz±0.005%
出力電力		500W
最高力を反映しなさい		500W
RFの出力インターフェイス		女性50 Ω、Nタイプ
力の安定性		±0.1%
調和成分		≤-50dbc
供給電圧/頻度		単一フェーズAC220V 50/60HZ
全効率		>=70%
力率		>=90%
冷却方法		強制風
3. 3つの精密多くの流量計の制御システム
外のり寸法		600x600x650mm
コネクターのタイプ		共同Swagelok SS
標準的な範囲（N2_）		0~100sccm、0~200sccm、またはカスタマイズ可能
正確さ		±1.5%
線形		±0.5~1.5%
反復性		±0.2%
応答時間		ガスの特性:1~4秒; 電気特性:10秒
圧力範囲		0.1~0.5 MPa
Max.pressure		3MPa
インターフェイス		Φ6,1/4」
表示		4ディジットの表示
周囲温度		5~45高い純度のガス
圧力計		- 0.1~0.15 MPaの0.01 MPa/単位
弁を停止しなさい		Φ6
ポーランドSSの管		Φ6
低い真空システムは含んでいた